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龙图腾网恭喜东南大学申请的专利一种辐照条件下高良率的磁性随机存储器系统设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119559992B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510121766.3，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权一种辐照条件下高良率的磁性随机存储器系统设计方法是由蔡浩;狄彦彤;刘孙辰星设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种辐照条件下高良率的磁性随机存储器系统设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种辐照条件下高良率的磁性随机存储器系统设计方法，基于2T‑2M自参考结构，结合基于汉明码的差错检测和纠正电路和内建自测试‑自修复系统，进行软硬错误的检测与修复，在辐照环境下抑制软硬错误的发生，有效提高存储器的良率。内建自测试‑自修复系统包括具有故障诊断功能的内建自测试电路和内建冗余自修电路，系统中的时序逻辑单元调用采用双模冗余抗辐照加固方法设计的时序逻辑标准单元库。

本发明授权一种辐照条件下高良率的磁性随机存储器系统设计方法在权利要求书中公布了：1.一种辐照条件下高良率的磁性随机存储器系统设计方法，其特征在于，包括以下步骤：嵌入式磁性随机存储器MRAM基于2T-2M自参考结构，在辐照条件下在片上自行完成故障检测和修复；将差错检测和纠正ECC电路，用于检测并纠正MRAM存储阵列中的软错误；内建自测试-自修复BISTR系统，用于检测并修复粒子撞击造成的永久性硬错误；内建自测试-自修复BISTR系统包括具有故障诊断功能的内建自测试BIST电路，以及对所检测故障进行修复的内建冗余自修复BISR电路；内建自测试BIST电路中的时序逻辑单元被替换为双模冗余抗辐照标准单元库中的时序逻辑标准单元；差错检测和纠正ECC电路与内建自测试-自修复BISTR系统协同工作，用来抑制辐照环境下的软硬错误；所述的2T-2M自参考结构由两个磁隧道结MTJ状态完全相反的1T-1M存储单元组成，即两组串联的MTJ和NMOS选通管；两组选通管的栅极都连至字线WL，两组1T-1M存储单元的位线BL电压和源线SL电压大小分别相反；所述2T-2M自参考结构用两个MTJ完成一个位单元数据的存储，由平行态和反平行态及反平行态和平行态两种组合分别代表数据“0”和“1”；所述差错检测和纠正ECC电路采用汉明码的编码方式，对8-bit实现1-bit纠正，2-bit检错；所使用汉明码规格具有8-bit数据位及5-bit检验位，共计13-bit码字；ECC纠错算法通过编码模块和译码模块与MRAM外围电路结合实现，根据输出的纠错标志位UE和错误标志位ERRF组合起来表征数据位中是否出现错误以及错误是否得到纠正；所述的内建自测试BIST电路由控制器CTRL、测试模式生成器TPG和故障位置指示器FSI三个模块组成；控制器CTRL用于控制；测试模式生成器TPG在测试模式下基于测试算法生成测试数据与地址；在测试模式生成器TPG生成测试数据与地址后，故障位置指示器FSI将存储器的读出数据进行对比分析，确认是否出现故障；内建自测试BIST电路中还有一组多路复用器BIST_MUX，在BIST_EN信号的控制下，在BIST测试模式和正常操作模式之间切换；所述的双模冗余抗辐照标准单元库中的时序逻辑标准单元，被用来替换内建自测试BIST电路中的时序逻辑单元的具体步骤为：针对内建自测试BIST电路的时序逻辑单元采用双模冗余的方式进行抗辐照加固，是将传输门与反相器组合在一起，合并为竖直堆叠的晶体管结构；加固后的结构中增加了两个抗辐照的反相器用来产生与时钟信号及其反相信号同相位但相互独立的时钟信号，防止单个时钟信号受到辐射影响后发生电荷共享；所述的内建冗余自修复BISR电路，由两部分组成；首先是存储阵列和自参考阵列的位线映射模块，在实际的物理版图中，相邻两列的存储单元构成2T-2M单元并存储1-bit数据，因此在进行列冗余替换时必须同时替换两列；存储阵列与自参考阵列的位线映射模块结构相同，二者均由7个2选1MUX构成，以配置信号CFG[8:14]，使其作为地址选择端对阵列的位线连接关系进行映射；其次是存储阵列与自参考阵列的源线映射模块，其结构与位线映射模块相同，但其由8个2选1MUX构成，受配置信号CFG[0:7]的控制，对阵列的源线连接关系进行映射。

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