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龙图腾网恭喜浙江工业大学之江学院申请的专利基于非稳态多谐振荡器的PNP BJT型电源控制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110661420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911069118.9，技术领域涉及：H02M3/156；该发明授权基于非稳态多谐振荡器的PNP BJT型电源控制器是由陈怡;杜树旺;谢路耀;周丹设计研发完成，并于2019-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于非稳态多谐振荡器的PNP BJT型电源控制器在说明书摘要公布了：一种基于非稳态多谐振荡器的PNPBJT型电源控制器，包括端口Vcc、端口Vss和端口Out，还包括PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、受控电流源1、受控电流源2和输出单元。所述电源控制器可与电源中的高压侧功率半导体器件相连，受控电流源的电流大小将直接影响电源中高压侧功率半导体器件的开关工作周期和占空比。本发明可自激运行、结构简单、利于集成、可靠性高、工作电压范围宽，特别适合较高输入电压的应用场合。

本发明授权基于非稳态多谐振荡器的PNP BJT型电源控制器在权利要求书中公布了：1.一种基于非稳态多谐振荡器的PNPBJT型电源控制器，其特征在于：所述基于非稳态多谐振荡器的PNPBJT型电源控制器包括端口Vcc、端口Vss和端口Out，还包括PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、受控电流源1、受控电流源2和输出单元，所述输出单元包括端口a和端口b，PNP型BJT管Q1的发射极同时与受控电流源1的第一端口、二极管D1的阴极、二极管D2的阴极、PNP型BJT管Q2的发射极以及端口Vcc相连，PNP型BJT管Q1的基极同时与二极管D1的阳极以及电阻R1的一端相连，PNP型BJT管Q1的集电极同时与输出单元的端口a、电阻R3的一端以及电容C1的一端相连，PNP型BJT管Q2的基极同时与二极管D2的阳极以及电阻R2的一端相连，PNP型BJT管Q2的集电极同时与电阻R5的一端以及电容C2的一端相连，电阻R1的另一端同时与电容C2的另一端以及受控电流源2的第一端口相连，电容C1的另一端同时与电阻R2的另一端、电阻R4的一端以及受控电流源1的第二端口相连，受控电流源2的第二端口同时与电阻R3的另一端、电阻R4的另一端、电阻R5的另一端以及端口Vss相连，输出单元的端口b与端口Out相连；流入受控电流源1第一端口的电流is1影响PNP型BJT管Q2导通时电容C1的充电速度以及PNP型BJT管Q1导通时C1的放电速度，进而影响端口a的控制信号；流入受控电流源2第一端口的电流is2影响PNP型BJT管Q2导通时电容C2的放电速度以及PNP型BJT管Q1导通时C2的充电速度，进而影响端口a的控制信号；所述输出单元将端口a的控制信号转化为端口b的驱动信号，使所述电源控制器具有驱动功率半导体器件的能力；所述电源控制器控制电源中功率半导体器件的开关状态，所述电源为所述电源控制器提供必要的电能，所述电源控制器的端口Vcc为供电口正端，所述电源控制器的端口Vss为供电口负端，所述电源控制器的端口Out与所述电源中功率半导体器件的控制端口相连。

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