恭喜台湾积体电路制造股份有限公司金海光获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器件、集成芯片及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010652708.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权存储器件、集成芯片及其形成方法是由金海光;吴启明;林杏莲;蔡子中;江法伸;李璧伸设计研发完成，并于2020-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件、集成芯片及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及一种包括经共掺杂的数据储存结构的存储单元。底部电极上覆在衬底上，而顶部电极上覆在底部电极上。数据储存结构设置在顶部电极与底部电极之间。数据储存结构包含掺杂有第一掺杂剂及第二掺杂剂的介电材料。
本发明授权存储器件、集成芯片及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于包括：衬底；底部电极，上覆在所述衬底上；顶部电极，上覆在所述底部电极上；以及数据储存结构，设置在所述顶部电极与所述底部电极之间，其中所述数据储存结构包含掺杂有第一掺杂剂及第二掺杂剂的介电材料，其中所述介电材料包含第一原子百分比的所述第一掺杂剂及第二原子百分比的所述第二掺杂剂，所述第二原子百分比不同于所述第一原子百分比，且其中所述第一原子百分比处于百分之1至百分之15的范围内且所述第二原子百分比处于百分之2至百分之20的范围内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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