恭喜三星电子株式会社白圣权获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利具有高电压晶体管的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010679062.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有高电压晶体管的半导体器件是由白圣权;金兑泳;金鹤善;尹康五;田昌勋;林濬熙设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高电压晶体管的半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括设置在衬底上的栅极结构。栅极结构具有第一侧壁和与第一侧壁相反的第二侧壁。第一杂质区域设置在衬底的上部部分内。第一杂质区域与第一侧壁间隔开。第三杂质区域在衬底的上部部分内。第三杂质区域与第二侧壁间隔开。第一沟槽设置在衬底内在第一侧壁和第一杂质区域之间。第一沟槽与第一侧壁间隔开。第一阻挡绝缘图案设置在第一沟槽内。
本发明授权具有高电压晶体管的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：设置在衬底上的栅极结构，所述栅极结构具有第一侧壁和与所述第一侧壁相反的第二侧壁；设置在所述衬底的上部部分内的第一杂质区域，所述第一杂质区域与所述第一侧壁间隔开；设置在所述衬底的所述上部部分内的第三杂质区域，所述第三杂质区域与所述第二侧壁间隔开；第一沟槽，设置在所述衬底内在所述第一侧壁和所述第一杂质区域之间，所述第一沟槽与所述第一侧壁间隔开；以及第一阻挡绝缘图案，设置在所述第一沟槽中，第二杂质区域，形成在所述衬底内在所述第一侧壁和所述第一杂质区域之间并且沿着所述第一沟槽的表面延伸，所述第二杂质区域连接到所述第一杂质区域并且具有设置在所述第一沟槽与所述第一侧壁或所述第一沟槽与所述第一杂质区域之间的至少一个水平区段。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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