恭喜美光科技公司M·纳哈尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利晶体管和形成晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080054273.8，技术领域涉及：H10D62/80；该发明授权晶体管和形成晶体管的方法是由M·纳哈尔;V·N·安东诺夫;D·F·范;A·莫巴尔利设计研发完成，并于2020-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管和形成晶体管的方法在说明书摘要公布了：一种晶体管包括顶部源极漏极区、底部源极漏极区、竖直处于所述顶部与底部源极漏极区之间的沟道区，以及以操作方式侧向邻近于所述沟道区的栅极。上部材料在下部材料正上方。所述上部材料在所述顶部源极漏极区、所述底部源极漏极区和所述沟道区中的至少一者中。所述下部材料在所述顶部源极漏极区、所述底部源极漏极区和所述沟道区中的至少一者中。所述上部材料包括1原子百分比到10原子百分比的元素形式H和0总原子百分比到小于0.1总原子百分比的一或多个惰性元素。所述下部材料包括0原子百分比到小于1原子百分比的元素形式H和0.1总原子百分比到10总原子百分比的一或多个惰性元素。公开了其它实施例，包含方法。
本发明授权晶体管和形成晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其包括：上部材料，其包括：1原子百分比到10原子百分比的元素形式H；和0总原子百分比到小于0.1总原子百分比的一或多个惰性元素；在所述上部材料正下方的下部材料，其包括：0原子百分比到小于1原子百分比的元素形式H；和0.1总原子百分比到10总原子百分比的一或多个惰性元素；所述晶体管的顶部源极漏极区、底部源极漏极区和沟道区中的至少一者包括所述上部材料，且所述顶部源极漏极区、所述底部源极漏极区和所述沟道区中的至少一者包括所述下部材料；以及栅极，其以操作方式侧向邻近于所述沟道区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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