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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第九研究所申请的专利一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111787778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010772164.1，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的滤波器是由张卫;王津丰;荣建海;王源;尹春燕设计研发完成，并于2020-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，属于电子元器件抗辐射加固技术领域，包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的侧壁还设置有侧壁通孔；本发明还公开了带有有该附加屏蔽结构的滤波器；本发明提供了一种YIG滤波器抗辐射的附加屏蔽结构，有益于增强YIG滤波器抗空间辐射能力，使YIG滤波器能经受更严酷的空间辐射而保持稳定的工作性能，延长其在空间辐射环境下的使用寿命。

本发明授权一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的滤波器在权利要求书中公布了：1.一种YIG滤波器，包括上磁路、上磁路的上极柱、安装于上磁路内的上驱动线圈、下磁路，下磁路的下极柱、安装于下磁路内的下驱动线圈、YIG谐振电路、连接器、连接器与YIG谐振电路之间互联的同轴电缆，其特征在于：还包括抗辐射附加屏蔽结构，包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的侧壁还设置有侧壁通孔；其中，所述上驱动线圈、下驱动线圈和YIG谐振电路均位于所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体所围成的抗辐射附加屏蔽结构内部，所述上极柱、下极柱均穿过所述底部通孔，所述同轴电缆穿过所述侧壁槽口，所述上驱动线圈和下驱动线圈端子穿过所述侧壁通孔；所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体均为非磁性材料；所述上屏蔽筒体和或下屏蔽筒体为单层或者多层结构。

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