恭喜同和电子科技有限公司田中治获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜同和电子科技有限公司申请的专利半导体发光元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080072698.1，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权半导体发光元件及其制造方法是由田中治;门胁嘉孝设计研发完成，并于2020-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光元件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种能够缓和发光光谱中的多峰而成为单峰的半导体发光元件及其制造方法。在以第二导电型包层作为光取出侧的半导体发光元件中，使该第二导电型包层的光取出面的表面的算术平均偏差Ra为0.07μm以上且0.7μm以下、并且使偏斜度Rsk为正值。
本发明授权半导体发光元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，其特征在于，其具备：基板；所述基板上的反射层；所述反射层上的、由至少包含In和As的InAsSbP系III-V族化合物半导体形成的第一导电型包层；所述第一导电型包层上的、发光中心波长为3400nm以上且4500nm以下的活性层；以及所述活性层上的、由至少包含In和As的InAsSbP系III-V族化合物半导体形成的第二导电型包层，所述半导体发光元件以所述第二导电型包层作为光取出侧，所述第二导电型包层的光取出面的表面的算术平均偏差Ra为0.07μm以上且0.7μm以下、并且偏斜度Rsk为正值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人同和电子科技有限公司，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号