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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利阵列基板及其制作方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080002465.4，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权阵列基板及其制作方法、显示装置是由陈义鹏;石领;李文强设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制作方法、显示装置在说明书摘要公布了：一种阵列基板及其制作方法、显示装置，阵列基板包括P型驱动晶体管DT、N型第一晶体管T1、电容C、衬底基板1、第一导电层、第一介电层43、第一缓冲层41、第二导电层，第一导电层层叠设置于衬底基板1的一侧，包括被配置为驱动晶体管DT的栅极和电容C的第一电极的第一导电部13；第一介电层43层叠设置于第一导电层背离衬底基板1的一侧；第一缓冲层41层叠设置于第一介电层43背离衬底基板1的一侧，且设置有开槽411；第二导电层层叠设置于第一缓冲层41背离衬底基板1的一侧，包括第二导电部55和第三导电部721，第二导电部55被配置为第一晶体管T1的栅极；第三导电部721位于开槽411的底部，以形成电容C的第二电极。该阵列基板中，驱动晶体管DT的栅极具有较好的抗噪音干扰能力。

本发明授权阵列基板及其制作方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，所述阵列基板包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括P型驱动晶体管、N型第一晶体管、电容，所述第一晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极，所述电容的第一电极连接所述驱动晶体管的栅极，其中，所述阵列基板还包括：衬底基板；第一导电层，层叠设置于所述衬底基板的一侧，所述第一导电层包括第一导电部，所述第一导电部被配置为所述驱动晶体管的栅极和所述电容的第一电极；第一介电层，层叠设置于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧；第一缓冲层，层叠设置于所述第一介电层背离所述衬底基板的一侧，所述第一缓冲层上设置有开槽，所述开槽在所述衬底基板的正投影与所述第一导电部在所述衬底基板的正投影至少部分重合；第二导电层，层叠设置于所述第一缓冲层背离所述衬底基板的一侧，所述第二导电层包括：第二导电部，所述第二导电部被配置为所述第一晶体管的栅极；第三导电部，所述第三导电部至少部分位于所述开槽的底部，且所述第三导电部在所述衬底基板的正投影与所述第一导电部在所述衬底基板的正投影至少部分重合，以形成所述电容的第二电极。

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