恭喜株式会社力森诺科大久保健实获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社力森诺科申请的专利半导体用黏合剂、以及半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115298280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180021009.9，技术领域涉及：C09J201/00；该发明授权半导体用黏合剂、以及半导体装置及其制造方法是由大久保健实;黑田孝博设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体用黏合剂、以及半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体用黏合剂，其在具备半导体芯片及配线电路基板的各自的连接部彼此电连接而成的连接结构及或多个半导体芯片的各自的连接部彼此电连接而成的连接结构的半导体装置中用于连接部的密封，所述半导体用黏合剂含有固化性树脂成分、助熔剂及无机填料，以该半导体用黏合剂的总量为基准，所述无机填料的含量为60～95质量％，该半导体用黏合剂固化后的热传导率为1.5WmK以上。
本发明授权半导体用黏合剂、以及半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体用黏合剂，其在具备半导体芯片及配线电路基板的各自的连接部彼此电连接而成的连接结构及或多个半导体芯片的各自的连接部彼此电连接而成的连接结构的半导体装置中用于所述连接部的密封，所述半导体用黏合剂含有固化性树脂成分、助熔剂及无机填料，以该半导体用黏合剂的总量为基准，所述无机填料的含量为80～95质量％，该半导体用黏合剂固化后的热传导率为1.5WmK以上，作为所述无机填料，调配有体积基准的平均粒径r1为5～20μm的多面体氧化铝和体积基准的平均粒径r2为0.1～4.5μm的多面体氧化铝，所述平均粒径r1与所述平均粒径r2之差、即r1-r2为4～10μm。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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