恭喜中国人民解放军国防科技大学许晓军获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国人民解放军国防科技大学申请的专利碳基光泵浦半导体高能激光器及激光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113131334B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110384393.0，技术领域涉及：H01S5/04；该发明授权碳基光泵浦半导体高能激光器及激光装置是由许晓军;王红岩;李康;杨子宁;崔文达;韩凯设计研发完成，并于2021-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳基光泵浦半导体高能激光器及激光装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳基光泵浦半导体高能激光器，包括：碳基材料基板，所述碳基材料基板的一面为工作面，另一面为导热面；光泵浦半导体激光器芯片，所述光泵浦半导体激光器芯片设置在所述碳基材料基板的工作面，所述光泵浦半导体激光器芯片上设有增益区，所述增益区提供的能量增益至少占所述光泵浦半导体激光器芯片提供能量增益的95％；冷却流体供给装置，所述冷却流体供给装置设置在所述碳基材料基板的导热面，以提供高速冲击的冷却流体对所述碳基材料基板进行导热降温。通过扩大激光器芯片的工作区域面积，提高激光器的输出功率。
本发明授权碳基光泵浦半导体高能激光器及激光装置在权利要求书中公布了：1.一种碳基光泵浦半导体高能激光器，其特征在于，包括：碳基材料基板，所述碳基材料基板的一面为工作面，另一面为导热面；光泵浦半导体激光器芯片，所述光泵浦半导体激光器芯片设置在所述碳基材料基板的工作面，所述光泵浦半导体激光器芯片上设有增益区，所述增益区提供的能量增益至少占所述光泵浦半导体激光器芯片提供能量增益的95%，所述增益区的厚度不超过20μm，所述增益区与所述碳基材料基板的距离不超过50μm；冷却流体供给装置，所述冷却流体供给装置设置在所述碳基材料基板的导热面，以提供高速冲击的冷却流体对所述碳基材料基板进行导热降温。
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