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龙图腾网恭喜清华大学申请的专利一种基于欧拉路径算法的自动布局方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114154454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111497217.4，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种基于欧拉路径算法的自动布局方法及装置是由叶佐昌;王燕;秦仟设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于欧拉路径算法的自动布局方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提出的基于欧拉路径算法的自动布局方法、装置及存储介质中，可以根据待摆放的MOS管的特征参数对其进行分类，得到多个MOS管分组，然后分别对每组MOS管中的MOS管的栅极序列，以MOS管的漏极和源级作为图论的节点，判断图论的节点是否构成欧拉路径，如果图论的节点未构成欧拉路径，则在图论中将度为奇数的节点增加预设元器件，以将未构成欧拉路径的节点转换为构成欧拉路径的节点，再根据构成的欧拉路径的中的排列顺序将MOS管进行摆放，形成摆放后的多个MOS管分组序列。本申请提出的方法，实现了MOS管的自动布局，从而减少了人工考虑集成电路设计MOS管布局需要的时间，同时保证了MOS管有源区正确的被共用，减少了版图占用面积，缩短了集成电路设计周期。

本发明授权一种基于欧拉路径算法的自动布局方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于欧拉路径算法的自动布局方法，其特征在于，包括：获取待摆放的MOS管，并获取所述待摆放的MOS管的特征参数；根据所述特征参数对所述待摆放的MOS管进行分类，得到多个MOS管分组，其中，每个所述MOS管分组中的MOS管具有相同的宽度，所述特征参数包括所述MOS管的栅极宽度，获取所述待摆放的MOS管的MOS管一维序列，所述MOS管一维序列包括PMOS管和NMOS管，所述PMOS管和NMOS管的漏极和源级由所述PMOS管和NMOS管在所述MOS管一维序列中的顺序确定，根据所述MOS管一维序列，将所述MOS管一维序列中相同宽度的PMOS管、NMOS管划分为一组，并将每组的PMOS管、NMOS管以不同栅极进行区分，得到PMOS管序列、NMOS管序列；分别对所述MOS管分组中MOS管的栅极序列，以所述MOS管的漏极和源级作为图论的节点，判断所述图论的节点是否构成欧拉路径，其中，所述构成欧拉路径的节点表征为所述MOS管的有源区互相连通，将每组中的PMOS管的栅极序列，以PMOS管的漏极和源极作为图论的节点判断该图论中的节点是否构成欧拉路径和将每组中的NMOS管的栅极序列，以NMOS管的漏极和源极作为图论的节点判断该图论中的节点是否构成欧拉路径；如果所述图论的节点未构成欧拉路径，则在所述图论中将度为奇数的节点增加预设元器件，以将未构成欧拉路径的节点转换为构成欧拉路径的节点；根据所述构成欧拉路径的节点，将已构成欧拉路径的栅极序列完成目标路径的拼接，根据拼接后的所述目标路径生成所述多个MOS管分组中连通的MOS管序列；将所述MOS管序列中的MOS管，根据欧拉路径的排列顺序进行摆放，形成摆放后的多个MOS管分组序列。

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