恭喜广州华瑞升阳投资有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜广州华瑞升阳投资有限公司申请的专利氧化镓场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210138148.6，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权氧化镓场效应晶体管是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化镓场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种具有垂直结构的氧化镓场效应晶体管，该氧化镓场效应晶体管具有增强型结构。本发明在场效应管结构设计上，利用p型材料层与氧化镓漂移层组成的异质pn结产生的耗尽区来关闭导电通道的一部分，从而形成常关型器件；且在第一氧化镓漂移层上利用同质外延生长的第二氧化镓漂移层以及在氧化镓绝缘层上利用同质外延生长的氧化镓层，可降低氧化镓场效应晶体管的电能损耗，提升可靠性。
本发明授权氧化镓场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓场效应晶体管，包括：其特征在于，漏电极108a；氧化镓衬底101，设置于所述漏电极108a上；第一氧化镓漂移层102，设置于所述氧化镓衬底101上；单晶氧化镓绝缘层104，设置于所述第一氧化镓漂移层102的两侧；第二氧化镓漂移层103，设置于所述第一氧化镓漂移层102和所述单晶氧化镓绝缘层104之上；单晶氧化镓层105，在所述单晶氧化镓绝缘层104上外延生长形成，且所述单晶氧化镓层105位于所述第二氧化镓漂移层103的两侧，所述单晶氧化镓层105上设有源电极108b；p型材料层106，设置在所述第一氧化镓漂移层102上，所述p型材料层106与所述第一氧化镓漂移层102形成异质pn结；栅绝缘层107，设置于所述p型材料层106上，且所述栅绝缘层107上设有栅电极108c。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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