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龙图腾网恭喜上海交通大学申请的专利基于光敏复合材料的三维硅基转接结构加工方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743884B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210249629.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权基于光敏复合材料的三维硅基转接结构加工方法及装置是由张子琦;周亮;张成瑞;毛军发设计研发完成，并于2022-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于光敏复合材料的三维硅基转接结构加工方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于光敏复合材料的三维硅基转接结构加工方法及装置，涉及晶圆级三维异质集成封装工艺技术领域，包括：步骤S1：在硅基衬底上制作正面保护膜和背面保护膜；步骤S2：在硅基衬底的背面制作波导金属侧壁，形成TSV盲槽；步骤S3：在硅基衬底的正面制作转接结构的背腔结构，并填充光敏复合材料；步骤S4：在背腔结构上方制备介质掩膜层，并在顶层介质层上方制作顶层金属图案；步骤S5：利用光刻掩膜与干法刻蚀进行体硅刻蚀并划片，得到完整转接结构。本发明能够极大缩减射频系统的整体尺寸，在实现小型化的同时提供了波导输出接口，提升互连自由度与灵活度。

本发明授权基于光敏复合材料的三维硅基转接结构加工方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于光敏复合材料的三维硅基转接结构加工方法，其特征在于，包括：步骤S1：在硅基衬底上制作正面保护膜和背面保护膜；步骤S2：在硅基衬底的背面制作波导金属侧壁，形成TSV盲槽；步骤S3：在硅基衬底的正面制作转接结构的背腔结构，并填充光敏复合材料；步骤S4：在背腔结构上方制备介质掩膜层，并在顶层介质层上方制作顶层金属图案；步骤S5：利用光刻掩膜与干法刻蚀进行体硅刻蚀并划片，得到完整转接结构；所述步骤S3包括：步骤S3.1：在正面保护膜上旋涂光刻胶并制备背腔图案；步骤S3.2：干法刻蚀正面保护膜与硅基形成背腔结构，去胶清洗；步骤S3.3：在硅基衬底的正面溅射一层地层种子层；步骤S3.4：在地层种子层上旋涂光刻胶；步骤S3.5：进行地层种子层的电镀并去胶清洗；步骤S3.6：利用离子束刻蚀掉地层种子层，形成完整地层结构；步骤S3.7：多次旋涂填充光敏介质BCB，固化后达到充分填充背腔效果；步骤S3.8：机械磨平顶层BCB介质层。

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