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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利低频宽带莲蓬头颈赫姆霍兹气动降噪超表面及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115391910B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210874467.3，技术领域涉及：G06F30/15；该发明授权低频宽带莲蓬头颈赫姆霍兹气动降噪超表面及其设计方法是由吴九汇;李敏;袁小阳设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本低频宽带莲蓬头颈赫姆霍兹气动降噪超表面及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明属于振动与噪声控制技术领域，具体涉及低频宽带莲蓬头颈赫姆霍兹气动降噪超表面及其设计方法。低频宽带莲蓬头颈赫姆霍兹气动降噪超表面，由多个吸声元胞并联构成的基本单元经周期性阵列形成，吸声元胞包括空腔、与空腔连接的莲蓬头颈部；莲蓬头颈部由多层圆柱孔和薄腔构成，每层孔的数目及其等效截面积自下而上逐渐递增；不同层的孔与孔之间通过薄腔连接，最下层孔连接空腔上端开口，薄腔与空腔截面参数相同。本发明将传统赫姆霍兹减振器的单一颈改进为莲蓬头多层孔结构，通过增大上层孔的数目和直径实现更大宽带控制，同时减小下层孔的数目和直径，或增大其长度实现更低频控制。并通过基本单元周期性阵列形成低频宽带气动降噪超表面结构。

本发明授权低频宽带莲蓬头颈赫姆霍兹气动降噪超表面及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种低频宽带莲蓬头颈赫姆霍兹气动降噪超表面的设计方法，其特征在于，包括：（1）对气动噪声源能量分布进行仿真预测，确定噪声控制的频谱特性范围和噪声能量幅值；（2）通过理论计算并仿真分析无流动激扰时单个吸声元胞的宽带特性并与传统赫姆霍兹减振器比较，分析影响结构带宽特性的因素，吸声元胞的结构参数包括：每一层圆柱孔的数目、孔的直径、孔的长度、空腔的长和宽、空腔和薄腔的深度，根据噪声源的分布范围和能量幅值结合结构的带宽特性和低频特性确定实现宽带控制所需的基本单元的吸声元胞数目和每个吸声元胞控制的峰值频率；（3）通过流场和声场耦合仿真分析结构参数和流量对单个吸声元胞的声学特性的影响，设计并确定吸声元胞的结构参数，使其满足流量增加时结构声阻抗及其峰值频率的增幅尽可能小，以实现速度更高时更低频气动噪声的有效控制；（4）将所需数目的吸声元胞并联耦合，构成一个气动降噪的基本单元，再将该基本单元经过周期性阵列得到多元胞耦合的低频宽带莲蓬头颈赫姆霍兹气动降噪超表面结构。

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