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龙图腾网恭喜华南师范大学申请的专利一种Micro-LED器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440603B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210909023.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种Micro-LED器件的制备方法是由王幸福;李文凤设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro-LED器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明申请公开了一种Micro‑LED器件的制备方法，通过采用外延生长方法生长外延结构，并采用侧向外延生长在生长第一目标层后制备Micro‑LED阵列，生长第二目标层后制备HEMT阵列，对器件造成侧壁损伤，也不会引入大量的悬挂键，降低了位错密度；通过将Micro‑LED阵列与HEMT阵列进行对准键合，实现了倒装键合的效果，解决了引线键合带来的信号延时问题；通过电化学湿法腐蚀降低了剥离过程中对外延结构的损伤，提升了剥离后器件的表面平整性和均匀性；本发明还实现了Micro‑LED的巨量转移，给Micro‑LED器件的量产提供了基础。

本发明授权一种Micro-LED器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗第一衬底和第二衬底；采用外延生长方法在所述第一衬底上生长第一外延层，采用所述外延生长方法在所述第二衬底上生长第二外延层，所述外延生长方法包括金属有机物化学气相沉积、分子束外延和氢化物气相外延中的任意一种；在所述第一外延层远离所述第一衬底的一侧生长预设图形阵列的第一牺牲层，在所述第二外延层远离所述第二衬底的一侧生长所述预设图形阵列的第二牺牲层，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层采用重掺杂的N型GaN层；采用侧向外延生长在所述第一牺牲层远离所述第一外延层的一侧生长第一目标层，采用侧向外延生长在所述第二牺牲层远离所述第二外延层的一侧生长第二目标层，所述第一目标层和所述第二目标层为阵列化的伞状结构，所述伞状结构互相隔离；在所述第一目标层上制备Micro-LED阵列，在所述第二目标层上制备HEMT阵列；将所述Micro-LED阵列与所述HEMT阵列进行对准键合，生成集成器件阵列；对所述集成器件阵列进行电化学湿法腐蚀，去除所述第一衬底、所述第一外延层和所述第一牺牲层，完成Micro-LED器件的制备；所述在所述第一外延层远离所述第一衬底的一侧生长预设图形阵列的第一牺牲层，包括：在所述第一外延层远离所述第一衬底的一侧沉积第一介质层；根据所述预设图形阵列对所述第一介质层进行图形化处理，生成第一生长窗口，所述第一生长窗口暴露所述第一外延层的表面；采用金属有机化学气相沉积系统在所述第一生长窗口中生长所述第一牺牲层，所述第一牺牲层的厚度小于所述第一介质层的厚度；所述在所述第二外延层远离所述第二衬底的一侧生长所述预设图形阵列的第二牺牲层，包括：在所述第二外延层远离所述第二衬底的一侧沉积第二介质层；根据所述预设图形阵列对所述第二介质层进行图形化处理，生成第二生长窗口，所述第二生长窗口暴露所述第二外延层的表面；采用金属有机化学气相沉积系统在所述第二生长窗口中生长所述第二牺牲层，所述第二牺牲层的厚度小于所述第二介质层的厚度；所述采用侧向外延生长在所述第一牺牲层远离所述第一外延层的一侧生长第一目标层，包括：在所述第一牺牲层远离所述第一外延层的一侧生长第一氮化物外延结构，在所述第一氮化物外延结构高出所述第一生长窗口部分进行侧向外延生长；在所述第一氮化物外延结构互相触碰连结之前停止生长，并腐蚀所述第一介质层，得到所述第一目标层；所述采用侧向外延生长在所述第二牺牲层远离所述第二外延层的一侧生长第二目标层，包括：在所述第二牺牲层远离所述第二外延层的一侧生长第二氮化物外延结构，在所述第二氮化物外延结构高出所述第二生长窗口部分进行侧向外延生长；在所述第二氮化物外延结构互相触碰连结之前停止生长，并腐蚀所述第二介质层，得到所述第二目标层；所述电化学湿法腐蚀采用的腐蚀电解液为H2C2O4溶液、EDTA-4Na溶液、HNO3溶液和K2SO4溶液中的任意一种。

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