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龙图腾网恭喜富乐德科技发展(大连)有限公司申请的专利一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211466163.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺是由朱光宇;贺贤汉;王松朋;李泓波设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺，包括密封防水保护；对陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度检测；对气孔进行冲洗；通过CDA对气孔进行吹扫；使用混合溶液A对气孔进行冲洗；用无尘布蘸取混合溶液B对陶瓷面进行擦拭；打磨；用无尘布蘸取混合溶液C对气体分压喷淋器正面的陶瓷面进行擦拭；通过CDA对气孔进行吹扫；烘干；密封防水保护；对陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度洗后检测；进行超声清洗；吹扫；最终烘干。本工艺使气体分压喷淋器表面以及气孔内绝对洁净，保证反应气体通路的绝对洁净，大大降低了杂质污染到反应气体的可能性，使清洗后的部件能够达到设备腔体内微环境使用要求。

本发明授权一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺在权利要求书中公布了：1.一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺，其特征在于，包括：步骤一：将气体分压喷淋器背面及侧面用胶带进行密封防水保护；步骤二：将保护好的气体分压喷淋器放入到超声波断层扫描仪中进行陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度检测；步骤三：检测结束后，将气体分压喷淋器背面及侧面的胶带去掉，并对背面及侧面进行IPA擦拭；步骤四：安装气体分压喷淋器的气孔冲洗治具，使气体分压喷淋器正面带出气孔的陶瓷面向上，并接通纯水及高纯氮气管路；步骤五：打开纯水及高纯氮气开关，对气体分压喷淋器气孔进行冲洗；步骤六：冲洗完成后，关闭并断开纯水及氮气开关，通过CDA对气孔进行吹扫，去除残余纯水；步骤七：配置混合溶液A；步骤八：使用混合溶液A并通过耐酸碱泵对气体分压喷淋器气孔进行冲洗，冲洗时间为25-35min，流量为200～300Lh；步骤九：冲洗完毕后，关闭并断开耐酸碱泵，打开纯水及高纯氮气开关，对气体分压喷淋器气孔进行冲洗；步骤十：配置混合溶液B；步骤十一：关闭纯水开关，保持高纯氮气持续吹扫气孔；步骤十二：用无尘布蘸取混合溶液B对气体分压喷淋器正面的陶瓷面进行擦拭；步骤十三：擦拭结束后将纯水开关打开，并保持高纯氮气持续吹扫气孔；步骤十四：冲洗结束后关闭纯水开关，并保持高纯氮气持续吹扫气孔，用金刚石打磨片对陶瓷表面进行打磨；步骤十五：配置混合溶液C；步骤十六：用无尘布蘸取混合溶液C对气体分压喷淋器正面的陶瓷面进行擦拭，擦拭过程中保持高纯氮气持续吹扫气孔；步骤十七：擦拭结束后将纯水开关打开，并保持高纯氮气持续吹扫气孔；步骤十八：冲洗结束后，关闭并断开纯水及氮气开关，通过CDA对气孔进行吹扫，去除残余纯水；步骤十九：将气体分压喷淋器从气孔冲洗治具上拆解下来，通过CDA吹干表面残余水分；步骤二十：将气体分压喷淋器放入无尘烘箱中进行烘干；步骤二十一：烘干结束后将气体分压喷淋器背面及侧面用胶带进行密封防水保护；步骤二十二：将保护好的气体分压喷淋器放入到超声波断层扫描仪中进行陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度洗后检测；步骤二十三：检测结束后，将气体分压喷淋器背面及侧面的胶带去掉，并对背面及侧面进行IPA擦拭；步骤二十四：将气体分压喷淋器放入到超声波清洗机中进行超声清洗；步骤二十五：超声清洗结束以后，用高纯氮气枪对气体分压喷淋器整体进行吹扫，去除残余水分；步骤二十六：对气体分压喷淋器进行最终烘干。

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