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龙图腾网恭喜恒泰柯半导体(上海)有限公司申请的专利一种优化的深沟道半导体器件终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111668287B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910164731.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种优化的深沟道半导体器件终端是由罗志云;王飞;潘梦瑜设计研发完成，并于2019-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种优化的深沟道半导体器件终端在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其为一种优化的深沟道半导体器件终端，包括有虚拟设置的虚线，虚线向左为半导体有源元胞区，虚线向右为终端保护区，在半导体器件的俯视平面上，元胞有源元胞区位于器件的中心，终端保护区位于有源区的外圈且环绕包围有源区，器件基于第一导电类型衬底上生长的第一导电类型漂移区，第一导电型衬底下端连接漏极金属，第一导电类型漂移一区上面设有第二导电类型体区，第一沟槽和第二沟槽位于第二导电类型体区并深入到外延层。本发明通过在深沟槽底部注入第二导电类型杂质，形成较深的场限环，使得沟槽底部电场得以分散，终端耐压高于有源区，可靠性提高。

本发明授权一种优化的深沟道半导体器件终端在权利要求书中公布了：1.一种优化的深沟道半导体器件终端，其特征在于，包括有虚拟设置的虚线，所述虚线向左为半导体有源区，虚线向右为终端保护区，在半导体器件的俯视平面上，元胞有源区位于器件的中心，终端保护区位于有源区的外圈且环绕包围所述有源区，器件基于第一导电类型衬底上生长的第一导电类型漂移区，第一导电型衬底下端连接漏极金属，第一导电类型漂移一区上面设有第二导电类型体区，第一沟槽和第二沟槽位于第二导电类型体区并深入到外延层，第一沟槽和第二沟槽内长有一定厚度的绝缘介质层作为场屏蔽绝缘层，其次填充有第一导电多晶硅、第二导电多晶硅、第三导电多晶硅、第四导电多晶硅、第五导电多晶硅、第六导电多晶硅，有源区的第二导电类型体区上有第一导电类型源极区，第一导电类型源极区连接源极金属，有源区沟槽内有源极多晶硅和第二导电多晶硅，它们分别连接源极金属和栅极金属，在终端保护区的深沟道底部有第二导电类型第二阱区A充当场限环，终端第二导电类型第一阱区A为浮动mesa不连接电极，源极多晶硅向外连接第二导电类型第一阱区B，源极多晶硅向外连接第二导电类型第一阱区C，源极多晶硅向外连接第二导电类型第二阱区B，依次类推，每一个源极多晶硅都向外连接到下一个相邻的第二导电类型第二阱区；所述终端保护区的深沟槽及场限环设计个数多于或等于一个，由外延层和器件有源区击穿电压决定；所述有源区结构是上下结构或者是左右结构，第二导电多晶硅在源极多晶硅上面纵向以绝缘介质层与之隔离，或者第二导电多晶硅环绕与源极多晶硅，并以绝缘介质层与之横向隔离。

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