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龙图腾网恭喜南京云极芯半导体科技有限公司申请的专利一种新型半导体测试探针制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119240603B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411426458.3，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种新型半导体测试探针制造工艺是由陈刚;贺雪峰设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型半导体测试探针制造工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种新型半导体测试探针制造工艺，包括：在硅基板上涂敷第一光阻层，进行光刻并显影；利用电镀方法在硅基板上生长出金属层；去除第一光阻层后清洗；在硅基板和金属层上生长出硅氧化物层；涂敷第二光阻层，进行光刻并显影，形成探针横梁蚀刻位；对探针横梁蚀刻位下方硅氧化物层进行干法蚀刻；对探针横梁蚀刻位下方金属层进行部分干法蚀刻，形成探针横梁；去除第二光阻层后清洗；去除硅氧化物层后清洗；涂敷第三光阻层，进行光刻并显影，形成探针针角蚀刻位；对探针针角蚀刻位下方金属层进行部分蚀刻，形成探针针头；去除第三光阻层后清洗。本发明提供的一种新型半导体测试探针制造工艺，简化工艺流程，可以很好地控制探针尖头角度。

本发明授权一种新型半导体测试探针制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种新型半导体测试探针制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在硅基板（1）上涂敷第一光阻层（2），对第一光阻层（2）的第一预设位置进行光刻并显影，形成探针生长位（21）；步骤2，在探针生长位（21）利用电镀方法在硅基板（1）上生长出金属层（3）；步骤3，去除第一光阻层（2）后清洗；步骤4，在硅基板（1）和金属层（3）上生长出硅氧化物层（4）；步骤5，在硅氧化物层（4）上涂敷第二光阻层（5），对第二光阻层（5）的第二预设位置进行光刻并显影，形成探针横梁蚀刻位（51）；步骤6，对探针横梁蚀刻位（51）正下方的硅氧化物层进行干法蚀刻；步骤7，对探针横梁蚀刻位（51）正下方的金属层进行部分干法蚀刻，形成探针横梁（71）；步骤8，去除第二光阻层（5）后清洗；步骤9，去除硅氧化物层（4）后清洗；步骤10，在硅基板（1）和金属层（3）上涂敷第三光阻层（6），对第三光阻层（6）的第三预设位置进行光刻并显影，形成探针针角蚀刻位（61）；步骤11，对探针针角蚀刻位（61）正下方的金属层进行部分蚀刻，形成探针针头（72）；步骤12，去除第三光阻层（6）后清洗。

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