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龙图腾网恭喜赣州市瑞富特科技有限公司申请的专利一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119315022B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411854114.2，技术领域涉及：H01M4/38；该发明授权一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用是由韩峰设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及锂离子电池技术领域，具体涉及一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用。硼掺杂多孔硅材料的制备方法是以Mg粉、Si粉以及B2O3为原料进行混合处理，将混合后的原料在保护性气氛下进行合金化反应制备B掺杂Mg2Si；将B掺杂Mg2Si与氮气进行去合金化反应制备Mg3N2B‑Si复合物；将Mg3N2B‑Si复合物进行酸洗得到硼掺杂多孔硅材料。通过在合成微米多孔硅的同时原位引入硼元素，实现B对Si的体相均匀掺杂，且所使用的原料价廉易得，制备过程简单易行，具有工业化大规模生产潜力。

本发明授权一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法、多孔硅材料和应用在权利要求书中公布了：1.一种硼掺杂多孔硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤（1）：以Mg粉、微米Si粉以及B2O3为原料进行混合处理，将混合后的原料在保护性气氛下进行合金化反应制备B掺杂Mg2Si；步骤（2）：将步骤（1）制备的B掺杂Mg2Si与氮气进行去合金化反应制备Mg3N2B-Si复合物；步骤（3）：将步骤（2）制备的Mg3N2B-Si复合物进行酸洗得到硼掺杂多孔硅材料；步骤（1）中，所述Mg粉与所述微米Si粉摩尔比为2.5:1～3:1；所述微米Si粉与所述B2O3按照Si:B的摩尔比为5:1～15:1；步骤（1）所述合金化反应的温度为500℃～700℃，反应时间为1h～10h；步骤（2）所述去合金化反应的温度为500℃～1000℃，反应时间为1h～10h；所述硼掺杂多孔硅材料的粉体外形为微米级尺寸，内部呈现富含大量孔洞的三维连续通道结构，所述硼掺杂多孔硅具有宏观和微观多尺度孔隙分布的微纳分级多孔结构。

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