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龙图腾网恭喜深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利一种低噪声放大器及射频芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119382638B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510000798.8，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权一种低噪声放大器及射频芯片是由张旭;郭嘉帅设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低噪声放大器及射频芯片在说明书摘要公布了：本发明适用于无线通讯技术领域，尤其涉及一种低噪声放大器及射频芯片。所述低噪声放大器包括输入匹配电路、偏置电路、放大电路、输出匹配电路、衰减器以及防失真增益抑制电路。与现有技术相比，本发明通过在放大电路的第一MOS管和第二MOS管的连接处，添加可以防止因波形幅值过大产生失真的防失真增益抑制电路，通过防失真增益抑制电路可以有效减少芯片放大链路因为波形幅度过大造成的线性度恶化问题，从而使得低噪声放大器能够输出线性度更优的射频信号。

本发明授权一种低噪声放大器及射频芯片在权利要求书中公布了：1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括输入匹配电路、偏置电路、放大电路、输出匹配电路以及防失真增益抑制电路；所述输入匹配电路的输入端作为所述低噪声放大器的输入端，用于接收射频信号，所述输入匹配电路的输出端连接至所述放大电路的第一输入端；所述偏置电路用于为所述放大电路提供偏置电压；所述放大电路的输出端连接至所述输出匹配电路的输入端；所述输出匹配电路的输出端作为所述低噪声放大器的输出端；所述防失真增益抑制电路用于对所述放大电路实现的不同档位的增益输出提供反馈调节，以提升所述放大电路在不同档位的增益输出时的线性度；所述放大电路包括第一MOS管、第二MOS管以及第一电感；所述第一MOS管栅极作为所述放大电路的第一输入端，所述第一MOS管的源极经串联所述第一电感后接地，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的栅极作为所述放大电路的第二输入端，所述第二MOS管的漏极作为所述放大电路的输出端；所述偏置电路的分别为所述第一MOS管和所述第二MOS管提供偏置电压；所述防失真增益抑制电路包括电容单元、多个第一开关以及多个第一电阻；所述电容单元的第一端分别与所述第一MOS管的漏极以及第二MOS管的源极连接，所述电容单元的第二端分别与多个第一电阻的第一端连接，多个所述第一电阻的第二端分别与多个第一开关的控制端一一对应连接，多个所述第一开关的输出端相互连接且接地；所述防失真增益抑制电路包括电容单元、多个第一开关以及多个第一电阻；所述电容单元的第一端与所述第二MOS管的漏极连接，所述电容单元的第二端分别与多个所述第一电阻的第一端连接，多个所述第一电阻的第二端分别与多个所述第一开关的控制端一一对应连接，多个所述第一开关的输出端相互连接且连接至所述第一MOS管的栅极。

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