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龙图腾网恭喜桑迪士克科技股份有限公司申请的专利底部钉扎SOT-MRAM位结构和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992214B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110249003.9，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权底部钉扎SOT-MRAM位结构和制造方法是由P.M.布拉干萨;H-W.曾;L.万设计研发完成，并于2016-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本底部钉扎SOT-MRAM位结构和制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统，更具体地涉及SOT‑MRAM芯片结构。SOT‑MRAM芯片结构包括多个引线、多个存储器单元以及多个晶体管。引线可以由具有大自旋‑轨道耦合强度和高电阻率的材料制成。每个单独的引线可包括多个第一部分和与第一部分区分开的多个第二部分。第二部分的电阻率小于第一部分的电阻率，所以引线的总电阻率减小，导致改进的功率效率和信噪比。

本发明授权底部钉扎SOT-MRAM位结构和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种自旋-轨道转矩磁阻随机存取存储器SOT-MRAM芯片结构，包括：多个存储器单元，其中，每个存储器单元包括参考层、阻挡层和自由层；多个引线，其中，多个引线中的每个引线包括多个第一部分和与第一部分区分开的多个第二部分，其中，多个第一部分中的每个第一部分由第一材料制成，多个第二部分中的每个第二部分由第二材料制成，其中，第二材料的电阻率小于第一材料的电阻率，并且其中，第一材料从由Pt、Ta、W、Hf、Ir、CuBi、CuIr和AuW构成的组中选择，且第二材料包括从由Pt、Ta、W、Hf、Ir、CuBi、CuIr和AuW构成的组中选择的、用掺杂物掺杂的材料，且其中多个第一部分中的每个第一部分耦合到多个存储器单元的对应存储器单元，且多个第二部分不与多个存储器单元接触；以及多个晶体管，其中，每个晶体管耦合到多个存储器单元的对应存储器单元，其中，每个存储器单元还包括布置在自由层上的自旋-轨道转矩层，其中，多个第一部分中的每个第一部分与多个存储器单元的存储器单元的自旋-轨道转矩层接触，多个第二部分的每个第二部分与多个存储器单元的存储器单元分隔开，其中，所述引线的厚度为5-10nm，其中，所述自旋-轨道转矩层的厚度为2-5nm。

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