恭喜苏州立琻半导体有限公司洪恩珠获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜苏州立琻半导体有限公司申请的专利半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566579B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210201766.0，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权半导体元件是由洪恩珠设计研发完成，并于2017-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体元件，其包括：衬底；以及半导体结构，所述半导体结构被布置在所述衬底上，其中，半导体结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；光吸收层，其被布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，其布置在至少一个接触孔中，该至少一个接触孔通过穿过第二导电半导体层和光吸收层来暴露第一导电半导体层，并且第一电极连接到第一导电半导体层；以及第二电极，其被连接到第二导电半导体层。光吸收层可以具有围绕至少一个接触孔的平面形状。
本发明授权半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括：衬底；以及半导体结构，所述半导体结构被布置在所述衬底上，其中，所述半导体结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；光吸收层，所述光吸收层被布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间；放大层，所述放大层被布置在所述第二导电半导体层与所述光吸收层之间，第一电极，所述第一电极被布置在至少一个接触孔中，所述至少一个接触孔通过穿过所述第二导电半导体层和所述光吸收层来暴露所述第一导电半导体层，并且所述第一电极被连接到所述第一导电半导体层；以及第二电极，所述第二电极被连接到所述第二导电半导体层，其中，所述光吸收层具有围绕所述至少一个接触孔的平面形状。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州立琻半导体有限公司，其通讯地址为：215499 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号