恭喜长鑫存储技术有限公司江文湧获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利集成电路存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110890346B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811051297.9，技术领域涉及：H01L23/532；该发明授权集成电路存储器及其形成方法是由江文湧;林仕杰设计研发完成，并于2018-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成电路存储器及其形成方法，通过在对应同一有源区的两条字线之间的沟槽隔离结构中形成绝缘结构，且所述绝缘结构的材料的介电常数小于所述沟槽隔离结构的材料的介电常数，从而减小了对应同一有源区的两条所述字线之间的寄生电容，提高了集成电路存储器的性能和稳定性。
本发明授权集成电路存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路存储器，其特征在于，所述集成电路存储器包括：衬底，所述衬底中形成有若干沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构定义出多个有源区，多条平行排布的字线，形成于所述衬底中，并且所述字线与相应的所述有源区相交并延伸至所述沟槽隔离结构中，每个所述有源区均与两条所述字线相交；多个绝缘结构，形成在所述沟槽隔离结构中，并位于对应同一有源区的两条字线之间，且所述绝缘结构的材料的介电常数小于所述沟槽隔离结构的材料的介电常数。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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