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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有dV/dt可控性的IGBT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109698230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811229514.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有dV/dt可控性的IGBT是由A.菲利波;M.比纳;M.戴内泽;C.耶格;J.G.拉文;F.J.桑托斯罗德里格斯;A.韦莱;C.利德兹;C.P.桑道设计研发完成，并于2018-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有dV/dt可控性的IGBT在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件（1），包括具有第一导电类型的漂移区（100）的有源单元区（1‑2）；至少部分布置在有源单元区（1‑2）内的多个IGBT单元（1‑1），其中该IGBT单元（1‑1）中的每个包括沿着垂直方向（Z）延伸到漂移区（100）中的至少一个沟槽（14、15、16）；包围有源单元区（1‑2）的边缘终止区（1‑3）；布置在有源单元区（1‑2）和边缘终止区（1‑3）之间的过渡区（1‑5），该过渡区（1‑5）具有沿着横向方向（X、Y）从有源单元区（1‑2）朝向边缘终止区（1‑3）的宽度（W），其中该IGBT单元（1‑1）中的至少一些被布置在过渡区（1‑5）内或者相应地延伸到过渡区（1‑5）中；以及第二导电类型的电浮势垒区（105），其中该电浮势垒区（105）被布置在有源单元区（1‑2）内且与IGBT单元（1‑1）的沟槽（14、15、16）中的至少一些接触，并且其中该电浮势垒区（105）不会延伸到过渡区（1‑5）中。

本发明授权具有dV/dt可控性的IGBT在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件1，包括第一负载端子11和第二负载端子12，该功率半导体器件1被配置成沿着垂直方向Z在所述端子11、12之间传导负载电流并且包括：-具有第一导电类型的漂移区100的有源单元区1-2；-具有第二导电类型的阱区109的边缘终止区1-3；-布置在有源单元区1-2内的多个IGBT单元1-1，其中该IGBT单元1-1中的每个包括沿着垂直方向Z延伸到漂移区100中并且在横向限制多个台面18、19的多个沟槽14、15、16；该多个沟槽包括：-具有控制电极141的至少一个控制沟槽14；-具有电耦合至控制电极141的哑电极151的至少一个哑沟槽15；-具有与第一负载端子电连接的源电极161的至少一个源沟槽16；该多个台面包括：-布置在至少一个控制沟槽14和至少一个源沟槽16之间的至少一个有源台面18；-邻近至少一个哑沟槽15布置的至少一个无源台面19；-第二导电类型的电浮势垒区105，其中至少哑沟槽15的底部155和源沟槽16的底部165两者至少部分地延伸到电浮势垒区105中，并且其中漂移区100的在横向方向X、Y上位于电浮势垒区105和阱区109之间的一部分在所述横向方向上具有至少1μm的横向延伸。

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