恭喜长鑫存储技术有限公司董鹏获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法以及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111785613B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910272404.9，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构的形成方法以及半导体结构是由董鹏设计研发完成，并于2019-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法以及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种半导体结构的形成方法以及半导体结构，形成方法包括：提供基底，所述基底上形成有若干分立的牺牲层；在所述牺牲层侧壁表面形成缓冲层，所述缓冲层的材料中具有有机基团以及无机成分；在所述缓冲层表面形成侧墙层，且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间；在形成所述侧墙层之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，以所述侧墙层和所述缓冲层为掩膜，刻蚀所述基底。本发明能够改善自对准图形的图形质量，提高半导体生产良率。
本发明授权半导体结构的形成方法以及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有若干分立的牺牲层，所述牺牲层的材料为有机材料；在所述牺牲层侧壁表面形成缓冲层，所述缓冲层的材料具有有机基团以及无机成分，所述有机基团和所述无机成分位于所述缓冲层的同一层材料中；在所述缓冲层表面形成侧墙层，且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间，所述侧墙层的材料为无机材料；去除所述牺牲层；以所述侧墙层和所述缓冲层为掩膜，刻蚀所述基底。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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