恭喜福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911115145.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其形成方法是由童宇诚;赖惠先设计研发完成，并于2019-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器及其形成方法。通过使存储器中的位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上具有较大的开口尺寸，从而在制备位线接触部时，将有利于提高位线接触窗其端部位置中的导电材料的去除效果，以避免在位线接触窗中出现导电材料残留的问题，提高存储器的器件性能。
本发明授权存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括衬底和形成在所述衬底上的位线，所述位线沿着第一方向延伸；其中，所述衬底中形成有多个有源区，所述有源区中具有第一源漏区和第二源漏区，以及所述衬底中还形成有位线接触窗，至少部分所述有源区暴露于所述位线接触窗，并且所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸大于所述位线接触窗在位线的延伸方向上的开口尺寸；以及，所述存储器还包括位线接触部，所述位线接触部形成在所述位线接触窗中并与所述有源区电性连接，以及所述位线覆盖所述位线接触部的顶表面，并且所述位线接触部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸，以使所述位线接触部的外侧壁和所述位线接触窗的沟槽侧壁相互间隔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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