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龙图腾网恭喜上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种基于忆阻器的模拟乘加器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111953349B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010758045.0，技术领域涉及：H03M1/12；该发明授权一种基于忆阻器的模拟乘加器电路是由段杰斌;李琛;王鹏飞设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于忆阻器的模拟乘加器电路在说明书摘要公布了：一种基于忆阻器的模拟乘加器电路，包括N个具有K个输入端的列忆阻器模拟乘加器单元，列忆阻器模拟乘加器单元包括一列忆阻器模块、一乘加电流发生器和一电流模数转换器；列忆阻器模块接收K个输入端输入的K个电压值，并进行模拟乘加运算；乘加电流发生器的输入端与列忆阻器模块输出端相连，用于输出模拟乘加运算的乘加电流；电流模数转换器用于将乘加电流发生器的输出电流转换为数字信号，电流模数转换器的输入端与乘加电流发生器的输出端相连；电流模数转换器的输出端为列忆阻器模拟乘加器单元的输出端。因此，本发明的电路架构更简单、电路开销低，其无需将电流转为电压后再进行模数转换，且乘加电流可直接转为数字信号，降低了电路复杂度和电路功耗。

本发明授权一种基于忆阻器的模拟乘加器电路在权利要求书中公布了：1.一种基于忆阻器的模拟乘加器电路，其特征在于，包括N个列忆阻器模拟乘加器单元，所述的列忆阻器模拟乘加器单元包括一列忆阻器模块、一乘加电流发生器和一电流模数转换器，所述的列忆阻器模拟乘加器单元有K个输入端，N和K为正整数；其中，所述列忆阻器模块接收所述K个输入端输入的K个电压值，并进行模拟乘加运算；所述的乘加电流发生器的输入端与所述列忆阻器模块输出端相连，所述的乘加电流发生器的输出端输出模拟乘加运算的乘加电流；所述的电流模数转换器用于将所述的乘加电流发生器的输出电流转换为数字信号，所述的电流模数转换器的输入端与所述的乘加电流发生器的输出端相连；所述的电流模数转换器的输出端为所述的列忆阻器模拟乘加器单元的输出端；所述的列忆阻器模块包括：第一个NMOS管、第二个NMOS管…和第K个NMOS管，以及第一忆阻器、第二忆阻器…和第K忆阻器；其中，第一个NMOS管、第二个NMOS管…和第K个NMOS管的源极分别与相应的第一忆阻器、第二忆阻器…和第K忆阻器的一端相连；所述第一忆阻器RRAM1、第二忆阻器RRAM2…和第K忆阻器RRAMK的另一端共同连接于节点SL1；所述节点SL1为所述列忆阻器模块的输出端；所述第一个NMOS管、第二个NMOS管…和第K个NMOS管的栅极共同连接于节点S1；所述第一个NMOS管、第二个NMOS管…和第K个NMOS管的漏极分别连接于节点BL1、节点BL2…和节点BLK，所述N个列忆阻器模拟乘加器单元具有K个输入端；所述节点BL1、节点BL2…和节点BLK为所述N个列忆阻器模拟乘加器单元的K个输入端；所述的乘加电流发生器包括第一MOS管、第二MOS管和第十一MOS管，其中，所述第一MOS管和第二MOS管的源极与第三MOS管的漏极共同连接；所述第二MOS管的栅极接参考电压Vref；所述第一MOS管的漏极、第五MOS管的漏极、所述第五MOS管的栅极、第六MOS管的栅极共同连接；所述第六MOS管的漏极、第七MOS管的栅极、所述第七MOS管的漏极、第八MOS管的栅极、第十MOS管的栅极共同连接；所述第二MOS管的漏极、第四MOS管的漏极、所述第四MOS管的栅极、第九MOS管的栅极、第十一MOS管的栅极共同连接；所述第九MOS管的漏极、所述第八MOS管的漏极、所述第一MOS管的栅极、所述列忆阻器模块的输出端相连；所述第十MOS管的漏极和所述第十一MOS管的漏极相连并作为所述的乘加电流发生器的输出端；所述第五MOS管的源极、第六MOS管的源极、第四MOS管的源极、第九MOS管的源极、第十一MOS管的源极与电源负极相连；所述第三MOS管的源极、第七MOS管的源极、第八MOS管的源极、第十MOS管的源极与电源正极相连。

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