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龙图腾网恭喜无锡华润微电子有限公司申请的专利存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121954B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010899841.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法是由金兴成;张建;郭崇永设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请具体涉及一种存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法，包括：选择开关晶体管、第一金属层、第二金属层及柱状电容；选择开关晶体管位于基底上；第一金属层位于选择开关晶体管上；第二金属层位于第一金属层上；第一金属层至少包括位线，第二金属层至少包括板线，且柱状电容位于第一金属层与第二金属层之间；或第一金属层至少包括板线，第二金属层至少包括位线，且柱状电容位于第一金属层与选择开关晶体管的源极之间；板线与柱状电容电连接；位线与选择开关晶体管的漏极电连接。本申请的存储单元结构电容为柱状电容，相较于具有平面电容的存储单元结构在相同存储能力的条件下可以实现最小面积的大幅微缩。

本发明授权存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：选择开关晶体管、第一金属层、第二金属层及柱状电容；其中，所述选择开关晶体管位于基底上；所述第一金属层位于所述选择开关晶体管上，且与所述选择开关晶体管具有间距；所述第二金属层位于所述第一金属层上，且与所述第一金属层具有间距；所述柱状电容包括：柱状内电极、电容介质层及外电极；所述电容介质层位于所述柱状内电极的外围；所述外电极位于所述电容介质层的外围；所述电容介质层包括锆掺杂氧化铪薄膜层；所述电容介质层具备铁电性；所述存储单元结构还包括：第一介质层，位于所述基底上，且覆盖所述选择开关晶体管；第二介质层，位于所述第一介质层的上表面；所述第一金属层至少包括位线，所述第二金属层至少包括板线，且所述柱状电容位于所述第一金属层与所述第二金属层之间，所述位线位于所述第一介质层的上表面，所述第二介质层覆盖所述第一金属层；所述柱状电容位于所述第二介质层内；所述板线及所述柱状电容均为多个，且所述板线与所述柱状电容一一对应电连接；或所述第一金属层至少包括板线，所述第二金属层至少包括位线，且所述柱状电容位于所述第一金属层与所述选择开关晶体管的源极之间，所述柱状电容位于所述第一介质层内，所述第二介质层位于所述第一介质层与所述板线之间；所述板线与所述柱状电容电连接，且与所述柱状电容具有间距；所述位线与所述选择开关晶体管的漏极电连接；所述柱状电容的退火温度为450℃～750℃。

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