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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利具有多个半导体器件的无衬底半导体器件组件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838822B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110623214.4，技术领域涉及：H01L23/482；该发明授权具有多个半导体器件的无衬底半导体器件组件及其制造方法是由劉鴻汶设计研发完成，并于2021-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有多个半导体器件的无衬底半导体器件组件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及具有多个半导体器件的无衬底半导体器件组件及其制造方法。一种半导体器件组件，包含：第一远程分布层RDL，该第一RDL包括半导体器件组件的下部最外侧平坦表面；第一半导体管芯，该第一半导体管芯通过第一多个互连件直接耦合到第一RDL的上表面；第二RDL，该第二RDL包括半导体器件组件的与下部最外侧平坦表面相对的上部最外侧平坦表面；第二半导体管芯，该第二半导体管芯通过第二多个互连件直接耦合到第二RDL的下表面；封装材料，该封装材料设置在第一RDL和第二RDL之间并且至少部分地封装第一半导体管芯和第二半导体管芯；以及第三多个互连件，该第三多个互连件在第一RDL的上表面和第二RDL的下表面之间完全延伸并与其直接耦合。

本发明授权具有多个半导体器件的无衬底半导体器件组件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件组件，包括：第一远程分布层RDL，所述第一RDL包括所述半导体器件组件的下部最外侧平坦表面；第一半导体管芯，所述第一半导体管芯通过第一多个互连件直接耦合到所述第一RDL的上表面；第二RDL，所述第二RDL包括所述半导体器件组件的与所述下部最外侧平坦表面相对的上部最外侧平坦表面；第二半导体管芯，所述第二半导体管芯通过第二多个互连件直接耦合到所述第二RDL的下表面；封装材料，所述封装材料设置在所述第一RDL和所述第二RDL之间并且至少部分地封装所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯；以及第三多个互连件，所述第三多个互连件在所述第一RDL的所述上表面和所述第二RDL的所述下表面之间完全延伸并与其直接耦合，其中所述下部最外侧平坦表面包括具有多个开口的电介质材料，在所述多个开口中设置有对应的多个接合焊盘，及其中所述多个接合焊盘中的每个接合焊盘电连接至所述第一多个互连件中的互连件、所述第三多个互连件中的互连件或两者。

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