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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利一种晶体管激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210195349.X，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种晶体管激光器及其制备方法是由梁松设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体管激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种晶体管激光器及其制备方法，该晶体管激光器包括：衬底；集电层材料层、基极材料层、基极高Al组份材料层、量子阱材料层、发射极高Al组份材料层、发射极材料层依次生长于衬底上；发射极材料层、发射极高Al组份材料层、量子阱材料层及基极高Al组份材料层被刻蚀形成发射极波导；基极电极设于基极材料层上，与发射极波导不相连；发射极电极设于发射极材料层上；集电极设于衬底下表面；其中，基极高Al组份材料层、发射极高Al组份材料层中的至少一层靠近发射极波导两侧壁的区域被氧化。该晶体管激光器可以有效减少发射极波导侧壁非辐射复合中心的不利影响，从而显著改善晶体管激光器的性能。

本发明授权一种晶体管激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管激光器，其特征在于，包括：衬底（10）、集电层材料层（20）、基极材料层（30）、基极高Al组份材料层（40）、量子阱材料层（50）、发射极高Al组份材料层（60）、发射极材料层（70）、基极电极、发射极电极、集电极；所述集电层材料层（20）、基极材料层（30）、基极高Al组份材料层（40）、量子阱材料层（50）、发射极高Al组份材料层（60）、发射极材料层（70）依次生长于所述衬底（10）上；所述发射极材料层（70）、发射极高Al组份材料层（60）、量子阱材料层（50）及基极高Al组份材料层（40）被刻蚀形成发射极波导（90）；所述基极电极设于所述基极材料层（30）上，与所述发射极波导（90）不相连；所述发射极电极设于所述发射极材料层（70）上；所述集电极设于所述衬底（10）下表面；其中，所述基极高Al组份材料层（40）、发射极高Al组份材料层（60）中的至少一层靠近所述发射极波导（90）两侧壁的区域被氧化；所述衬底（10）的材料为InP，所述集电层材料层（20）的材料为InGaAsP或In（1-x-y）GaxAlyAs，所述基极材料层（30）的材料为InGaAsP或In（1-x-y）GaxAlyAs，所述基极高Al组份材料层（40）的材料为In（1-x-y）GaxAlyAs，所述量子阱材料层（50）的材料为InGaAsP或In（1-x-y）GaxAlyAs，所述发射极高Al组份材料层（60）的材料为In（1-x-y）GaxAlyAs，所述发射极材料层（70）的材料为InP。

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