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龙图腾网恭喜深圳市朗帅科技有限公司申请的专利一种功率器件的设计方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119294150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411823429.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种功率器件的设计方法及系统是由邓家榆;赵金跃;陈妮妮;程江兰;王飞;孟祥辉设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率器件的设计方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率器件的设计方法及系统，涉及芯片设计技术领域，方法包括：确定功率场效应管的期望击穿电压；确定功率场效应管的外延层掺杂浓度、外延层厚度和外延层电阻率；结合电场均匀性原则确定功率场效应管的阱宽和阱深；结合电场在功率场效应管耗尽区的分布方式，计算功率场效应管在不同几何单元类型和不同阱间距下的估计导通电阻；确定目标几何单元类型；基于目标几何单元类型计算功率场效应管的最优阱间距；将外延层掺杂浓度、外延层厚度、外延层电阻率、阱宽、阱深、目标几何单元类型和最优阱间距作为设计参数输出。在确保功率器件设计的高性能的同时，缩短设计周期，降低设计成本。

本发明授权一种功率器件的设计方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的设计方法，其特征在于，应用于功率场效应管；方法包括：S1：确定所述功率场效应管的期望击穿电压；S2：以所述期望击穿电压为约束确定所述功率场效应管的外延层掺杂浓度、外延层厚度和外延层电阻率；S3：基于所述期望击穿电压，结合电场均匀性原则确定所述功率场效应管的阱宽和阱深；S4：结合电场在功率场效应管耗尽区的分布方式，计算所述功率场效应管在不同几何单元类型和不同阱间距下的估计导通电阻，其中，所述阱间距为相邻两个P型阱在水平方向上的间隔距离；S5：将不同几何单元类型中使得所述估计导通电阻取最小值的几何单元类型确定为目标几何单元类型；S6：以所述估计导通电阻最小为目标，基于所述目标几何单元类型计算所述功率场效应管的最优阱间距；S7：将所述外延层掺杂浓度、所述外延层厚度、所述外延层电阻率、所述阱宽、所述阱深、所述目标几何单元类型和所述最优阱间距作为所述功率场效应管的设计参数输出。

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