买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜西安航天民芯科技有限公司申请的专利一种用于抑制NPN型带隙基准源温漂的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119396244B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510000216.6，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种用于抑制NPN型带隙基准源温漂的电路是由任钰狄;夏雪;王婉;李家明;孙权设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于抑制NPN型带隙基准源温漂的电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于抑制NPN型带隙基准源温漂的电路，涉及模拟集成电路技术领域，包括：第三电阻，其输入端与NPN型带隙基准源的输出端连接；电流生成模块，其输入端与第三电阻输出端连接，用于产生补偿电流；电流生成模块包括第三NPN型三极管和第四NPN型三极管、第四电阻和第五电阻以及第一P型MOS管和第一P型MOS管；可以调节第四电阻和第五电阻的比例，补偿电流值在中高温以下为0，在高温时与原始带隙基准电压同时漂高，通过第三电阻使原始带隙基准电压高温时的高阶温漂电压得到很好的抑制。补偿电流流过R3后产生的补偿带隙基准电压作为新的带隙电压输出。

本发明授权一种用于抑制NPN型带隙基准源温漂的电路在权利要求书中公布了：1.一种用于抑制NPN型带隙基准源温漂的电路，其特征在于，包括：第三电阻R3，其一端与NPN型带隙基准源的输出端连接，所述NPN型带隙基准源的输出端输出原始带隙基准电压；电流生成模块，其输入端与第三电阻R3另一端连接，用于产生补偿电流；所述电流生成模块包括第三NPN型三极管Q3和第四NPN型三极管Q4、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6以及第一P型MOS管PM1和第二P型MOS管PM2；第三NPN型三极管Q3的集电极与电源相连，基极与第三电阻R3另一端相连，发射极与第四电阻R4一端相连；第四NPN型三极管Q4的集电极与第一P型MOS管PM1的栅极和漏极以及第二P型MOS管PM2的栅极相连，基极与第四电阻R4的另一端以及第五电阻R5的一端相连，发射极与第六电阻R6的一端相连；第一P型MOS管PM1的栅极和第二P型MOS管PM2的栅极连接，第一P型MOS管PM1和第二P型MOS管PM2的源极均与电源相连，第二P型MOS管PM2的漏极与第三电阻R3输入端相连；所述补偿电流流经第三电阻R3产生补偿电压，所述补偿电压与原始带隙基准电压相结合，从第三电阻R3另一端输出补偿带隙基准电压；所述用于产生补偿电流，具体如下所示： 式中，I4为流经第六电阻R6的电流，VBG2为补偿带隙基准电压，Vbe3为第三NPN型三极管Q3的基极-发射极电压，Vbe4为第四NPN型三极管Q4的基极-发射极电压；I4通过第一P型MOS管PM1和第二P型MOS管PM2的1：1镜像为补偿电流I3；所述补偿电压与原始带隙基准电压相结合，具体如下所示：VBG2＝VBG1-I3·R3；式中，VBG1为原始带隙基准电压，VBG2为补偿带隙基准电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安航天民芯科技有限公司，其通讯地址为：710000 陕西省西安市高新区锦业路70号卫星大厦5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。