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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于HEMT器件的侧壁钝化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111883589B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010743085.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权用于HEMT器件的侧壁钝化是由邱汉钦;陈祈铭;蔡正原;姚福伟设计研发完成，并于2015-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于HEMT器件的侧壁钝化在说明书摘要公布了：本发明的一些实施例涉及包括布置在半导体衬底上方的异质结结构的高电子迁移率晶体管HEMT。异质结结构包括用作e‑HEMT的沟道区的由第一III‑氮化物材料制成的二元IIIV半导体层以及用作阻挡层的布置在二元IIIV半导体层上方并且由第二III‑氮化物材料制成的三元IIIV半导体层。源极区和漏极区布置在三元IIIV半导体层上方并且彼此横向间隔开。栅极结构布置在异质结结构上方并且布置在源极区和漏极区之间。栅极结构由第三III‑氮化物材料制成。第一钝化层设置在栅极结构的侧壁周围并且由第四III‑氮化物材料制成。本发明的实施例还涉及用于HEMT器件的侧壁钝化。

本发明授权用于HEMT器件的侧壁钝化在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，包括：异质结结构，布置在半导体衬底上方，所述异质结结构包括：用作所述高电子迁移率晶体管的沟道区的由第一III-氮化物材料制成的二元IIIV半导体层以及用作阻挡层的布置在所述二元IIIV半导体层上方并且由第二III-氮化物材料制成的三元IIIV半导体层；源极区和漏极区，布置在所述三元IIIV半导体层上方并且彼此横向间隔开；栅极结构，布置在所述异质结结构上方并且布置在所述源极区和所述漏极区之间，其中，所述栅极结构由第三III-氮化物材料制成，并且所述栅极结构具有经蚀刻的侧壁；以及第一钝化层，由BN制成，BN的所述第一钝化层共形地直接在所述栅极结构的经蚀刻的所述侧壁的所有侧壁表面、及所述栅极结构的上表面的边缘部分上延伸而暴露所述上表面的剩余部分，BN的所述第一钝化层终止并且钝化经蚀刻的所述侧壁上的悬空键以减少经蚀刻的所述侧壁的陷阱的数量；第二钝化层，共形地覆盖在所述第一钝化层的上方，并且所述第一钝化层和所述第二钝化层在横向方向上直接堆叠在所述栅极结构的经蚀刻的所述侧壁的一部分上，所述第二钝化层与所述栅极结构没有物理接触。

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