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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109686667B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910071222.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用是由张瑜洁;李昀佶;陈彤设计研发完成，并于2019-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种SiC基MOS器件的制备方法，包括：对SiC外延材料基片进行清洗；在SiC外延材料基片上淀积二维材料薄膜层；通过化学气相沉积或物理气相沉积在二维材料薄膜层上淀积氧化物薄膜层，然后上述所形成的二维材料氧化物复合薄膜介质层进行退火处理；在SiC外延材料基片背面制作欧姆接触电极层；在氧化物薄膜材料层上制作栅电极层完成SiC基MOS器件的制备。本发明还提供一种SiC基MOS器件及其应用，利用高迁移率、高面电导率的传输层，提高SiC基MOS器件的热稳定性和高压击穿能力。

本发明授权一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种SiC基MOS器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1.对SiC外延材料基片进行清洗；S2.在SiC外延材料基片上淀积二维材料薄膜层，所述二维材料薄膜层为MoS2、BN材料、Bi2Te3或Bi2Se3；S3.通过化学气相沉积或物理气相沉积在二维材料薄膜层上淀积氧化物薄膜层，所述氧化物薄膜层为SiO2、Al2O3、AlON或HfO2，然后对步骤S2和步骤S3所形成的二维材料氧化物复合薄膜介质层进行退火处理；所述步骤S3中对所形成的二维材料氧化物复合薄膜介质层进行退火处理的条件包括：退火温度范围为400℃～1300℃的温度，退火时间为0.5～3小时，退火气氛为N2、Ar、NO、N2O、POCl3、H2、NH3、P2O5或Sb+NO；S4.在SiC外延材料基片背面制作欧姆接触电极层；S5.在氧化物薄膜材料层上制作栅电极层完成SiC基MOS器件的制备。

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