恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵猛获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111725067B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910218565.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2019-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底及凸出于所述衬底的鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极，所述栅极露出部分所述鳍部顶部；在所述栅极侧壁上形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述栅极露出的所述鳍部顶部；在所述第一侧墙侧壁及所述鳍部侧壁上形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述衬底顶部；刻蚀去除位于所述第二侧墙底部的部分厚度所述衬底，在所述衬底内形成凹槽；形成填充满所述凹槽的缓冲扩散层；去除所述第二侧墙；在所述缓冲扩散层上形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层覆盖所述鳍部侧壁。本发明能够有效抑制漏电流，改善半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底及凸出于所述衬底的鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极，所述栅极露出部分所述鳍部顶部；在所述栅极侧壁上形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述栅极露出的所述鳍部顶部；在所述第一侧墙侧壁及所述鳍部侧壁上形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述衬底顶部；刻蚀去除位于所述第二侧墙底部的部分厚度所述衬底，在所述衬底内形成凹槽；形成填充满所述凹槽的缓冲扩散层；去除所述第二侧墙；在所述缓冲扩散层上形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层覆盖所述鳍部侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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