恭喜住友化学株式会社堀切文正获国家专利权
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龙图腾网恭喜住友化学株式会社申请的专利结构体的制造方法、结构体的制造装置和中间结构体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113728417B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080030617.1，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权结构体的制造方法、结构体的制造装置和中间结构体是由堀切文正;福原昇;佐藤威友;渡久地政周设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本结构体的制造方法、结构体的制造装置和中间结构体在说明书摘要公布了：结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物构成的蚀刻对象物的工序；以及，在蚀刻对象物浸渍于包含过二硫酸根离子的蚀刻液中的状态下，隔着蚀刻液对蚀刻对象物的表面照射光，从而由过二硫酸根离子生成硫酸根离子自由基，并使III族氮化物中生成空穴，由此对III族氮化物进行蚀刻的工序，在对III族氮化物进行蚀刻的工序中，通过使III族氮化物的蚀刻的开始时间点的蚀刻液为酸性，从而在III族氮化物被蚀刻的期间内维持蚀刻液为酸性的状态，在表面上形成有抗蚀剂掩膜的状态下进行蚀刻。
本发明授权结构体的制造方法、结构体的制造装置和中间结构体在权利要求书中公布了：1.一种结构体的制造方法，其具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物构成的蚀刻对象物的工序；以及在所述蚀刻对象物浸渍于包含过二硫酸根离子的蚀刻液中的状态下，隔着所述蚀刻液对所述蚀刻对象物的所述表面照射光，从而由所述过二硫酸根离子生成硫酸根离子自由基，并使所述III族氮化物中生成空穴，由此对所述III族氮化物进行蚀刻的工序，在对所述III族氮化物进行蚀刻的工序中，通过使所述III族氮化物的蚀刻的开始时间点的所述蚀刻液为酸性，从而在所述III族氮化物被蚀刻的期间内维持所述蚀刻液为酸性的状态，在所述表面上形成有抗蚀剂掩膜的状态下进行所述蚀刻，其中，所述蚀刻的结束时间点的所述蚀刻液的pH相对于所述开始时间点的所述蚀刻液的pH的降低幅度为4以下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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