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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687665B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010235485.8，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体器件及其形成方法是由吴俊毅;余振华;侯上勇设计研发完成，并于2020-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：第一晶片上芯片CoW器件，具有第一中介层及贴合到第一中介层的第一侧的第一管芯；第二晶片上芯片器件，具有第二中介层及贴合到第二中介层的第一侧的第二管芯，第二中介层与第一中介层在横向上间隔开；以及重布线结构，沿第一中介层的与所述第一中介层的第一侧相对的第二侧延伸，且沿第二中介层的与所述第二中介层的第一侧相对的第二侧延伸，所述重布线结构从第一晶片上芯片器件连续延伸到第二晶片上芯片器件。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于包括：第一晶片上芯片器件，包括第一中介层及贴合到所述第一中介层的第一侧的第一管芯；第二晶片上芯片器件，包括第二中介层及贴合到所述第二中介层的第一侧的第二管芯，所述第二中介层与所述第一中介层在横向上间隔开；以及重布线结构，沿所述第一中介层的与所述第一中介层的所述第一侧相对的第二侧延伸，且沿所述第二中介层的与所述第二中介层的所述第一侧相对的第二侧延伸，所述重布线结构从所述第一晶片上芯片器件连续延伸到所述第二晶片上芯片器件，其中所述重布线结构包括第一多个介电层和第一多个导电特征，其中所述第一多个导电特征设置在所述第一多个介电层中最靠近所述第一中介层的第一表面和所述第一多个介电层中最远离第一中介层的第二表面之间，其中所述第一多个介电层堆叠在一起且其间没有间隙，其中所述重布线结构的所述第一多个导电特征的其中一个导电特征从所述第一晶片上芯片器件连续延伸到所述第二晶片上芯片器件。

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