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龙图腾网恭喜丹佛斯硅动力有限责任公司申请的专利半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952290B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010377664.5，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权半导体模块是由阿尔瓦罗·豪尔赫·马里·库尔韦洛;托维亚斯·许茨;罗伯特·勒斯纳设计研发完成，并于2020-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体模块在说明书摘要公布了：一种半桥功率模块1，包括：基板2，该基板包括内部负载轨迹11、两个中间负载轨迹12，14和两个外部负载轨迹10，13，其中，在中间负载轨迹12，14中的一个中间负载轨迹上安装外部端子，在外部负载轨迹10，13中的一个外部负载轨迹上安装外部端子3，4，并在内部负载轨迹11上安装外部端子5；其中，在外部负载轨迹10，13上安装半导体开关101，102，105，106并且将半导体开关101，102，105，106电连接到中间负载轨迹12；并且在中间负载轨迹12，14上安装半导体开关103，104，107，108并且将半导体开关103，104，107，108电连接到内部负载轨迹11。

本发明授权半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种提供半桥的功率模块（1），所述功率模块包括：至少一个基板（2），所述至少一个基板（2）包括内部负载轨迹（11）、两个中间负载轨迹（12，14）和两个外部负载轨迹（10，13），其中，所述内部负载轨迹（11）是细长的，并且沿第一方向（8）延伸穿过所述至少一个基板（2）；其中，沿所述第一方向（8），在所述功率模块的一端，在所述中间负载轨迹（12，14）中的至少一个中间负载轨迹上安装外部端子（6，7）；其中，在所述外部负载轨迹（10，13）中的至少一个外部负载轨迹上安装外部端子（3，4），并且在所述内部负载轨迹（11）上安装外部端子（5）；其中，沿所述第一方向（8），在对着安装在所述中间负载轨迹中的至少一个中间负载轨迹上的外部端子（6，7）的所述功率模块的另一端安装外部端子（3，4，5）；其中，在所述外部负载轨迹（10，13）上安装半导体开关（101，102，105，106），并且将所述半导体开关（101，102，105，106）电连接到所述中间负载轨迹（12）；并且其中，在所述中间负载轨迹（12，14）上安装半导体开关（103，104，107，108），并且将所述半导体开关（103，104，107，108）电连接到所述内部负载轨迹（11），其中，每个中间负载轨迹（12，14）包括：第一细长臂（15），所述第一细长臂（15）沿所述第一方向（8）延伸，相对于与所述第一方向（8）成直角的第二方向（9）在所述外部负载轨迹（10，13）和所述内部负载轨迹（11）之间；以及第二细长臂（16），所述第二细长臂（16）沿所述第一方向（8）延伸，相对于所述第二方向（9）在所述外部负载轨迹（10，13）和所述基板（2）的边缘之间；其中，所述内部负载轨迹（11）包括：第三细长臂（17），所述第三细长臂（17）沿所述第一方向（8）延伸，相对于所述第二方向（9）在第一中间负载轨迹（12）和所述基板（2）的边缘之间；以及第四细长臂（18），所述第四细长臂（18）沿所述第一方向（8）延伸，相对于所述第二方向（9）在第二中间负载轨迹（14）和所述基板（2）的边缘之间；其中，在外部负载轨迹（10，13）上安装至少一个半导体开关（101，105），并且将所述至少一个半导体开关（101，105）电连接到所述中间负载轨迹（12，14）中的一个中间负载轨迹的第二细长臂（16）；并且其中，在中间负载轨迹（12，14）上安装至少一个半导体开关（103，107），并且将所述至少一个半导体开关（103，107）电连接到所述内部负载轨迹（11）的细长臂（17，18）。

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