恭喜富鼎先进电子股份有限公司林昭言获国家专利权
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龙图腾网恭喜富鼎先进电子股份有限公司申请的专利沟槽式半导体组件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121628B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010902414.9，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权沟槽式半导体组件制造方法是由林昭言设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽式半导体组件制造方法在说明书摘要公布了：一种沟槽式半导体组件制造方法包含有下列步骤，首先，先形成磊晶层于基材上，然后形成沟槽于磊晶层中，以及形成栅极结构于沟槽之中，其中栅极结构包含有上方栅极、下方栅极以及中间绝缘部，且中间绝缘部位于上方栅极之中。因此，有效地改善了栅极电容特性，并提升栅极的反应速度。
本发明授权沟槽式半导体组件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽式半导体组件制造方法，其特征在于，包含：形成磊晶层于基材上；形成沟槽，于该磊晶层中；以及形成栅极结构于该沟槽之中，其中该栅极结构包含，上方栅极、下方栅极以及中间绝缘部，且该中间绝缘部位于该上方栅极之中；沉积第一氧化层于该沟槽之中；沉积第一多晶硅层于该第一氧化层之上以及该沟槽之中；回蚀该第一多晶硅层至该第一氧化层的上表面的下方；氧化该第一多晶硅层的表面，以形成第二氧化层，并利用该第二氧化层与该第一氧化层包覆该下方栅极；沉积氮化硅层于该沟槽之中；回蚀该氮化硅层，以形成该中间绝缘部；回蚀该第一氧化层，以移除部分的该第一氧化层，进而形成第一介电层，并露出部分的该磊晶层的表面，且该第一介电层与该第二氧化层包覆该下方栅极；氧化该磊晶层的该表面，以形成栅极氧化层；沉积第二多晶硅层，以填满该沟槽；以及回蚀该第二多晶硅层并露出该中间绝缘部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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