恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司周飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010975875.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体结构的形成方法是由周飞设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、以及位于所述基底表面的鳍部，形成横跨所述鳍部并覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁的栅极结构，所述栅极结构包括栅极层，以所述栅极结构为掩膜，在部分相邻栅极结构之间的所述鳍部内形成第一沟槽，在所述第一沟槽内填充隔离材料层，形成第一隔离结构，形成所述第一沟槽时的图形化层的尺寸较大，以此增大图形化工艺的工艺窗口，因此可以实现自对准形成双扩散隔断结构，降低了对光刻工艺的要求。
本发明授权一种半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、以及位于所述基底表面的鳍部；形成横跨所述鳍部并覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁的栅极结构，所述栅极结构包括栅极层；以所述栅极结构为掩膜，在部分相邻栅极结构之间的所述鳍部内形成第一沟槽；在所述第一沟槽内填充隔离材料层，形成第一隔离结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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