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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112542449B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010996775.4，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由余振华;陈宪伟;邱文智;陈明发;叶松峯设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括接合到第一存储器器件的第一芯片上系统器件、接合到第一存储器器件的第二芯片上系统器件、围绕第一芯片上系统器件和第二芯片上系统器件的第一密封剂、围绕第一芯片上系统器件、第二芯片上系统器件和第一存储器器件的第二密封剂、以及从第二密封剂的第一侧延伸到第一密封剂的第二侧的贯通孔，贯通孔位于第一密封剂的外部。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一芯片上系统器件，接合到第一存储器器件，其中，所述第一芯片上系统器件包括第一钝化层；第二芯片上系统器件，接合到所述第一存储器器件，其中，所述第二芯片上系统器件包括第二钝化层；第一密封剂，围绕所述第一芯片上系统器件和所述第二芯片上系统器件，其中，所述第一密封剂具有与所述第一存储器器件的侧壁共面的外表面，所述外表面与所述第一芯片上系统器件和所述第一存储器器件之间的界面成直角，其中，所述第一钝化层，所述第二钝化层，所述第一存储器器件以及所述第一密封剂共享一平面；第二密封剂，围绕所述第一芯片上系统器件、所述第二芯片上系统器件和所述第一存储器器件；以及贯通孔，从所述第二密封剂的第一侧延伸到所述第二密封剂的第二侧，所述贯通孔位于所述第一密封剂的外部，其中，以背对面配置将所述第一芯片上系统器件接合到所述第一存储器器件；以及第一重分布结构，与所述第一芯片上系统器件和所述贯通孔都物理接触，所述第一重分布结构包括第一重分布层、嵌入在第三钝化层内的第一外部连接件器、以及第二重分布层，其中，所述第二重分布层延伸到所述第二密封剂中并且直接物理接触所述第一芯片上系统器件；第二重分布结构，与所述第一存储器器件的半导体衬底和所述贯通孔都接触；第四外部连接件，与所述第二重分布结构物理接触并且与所述第一存储器器件和所述贯通孔位于所述第二重分布结构的相反两侧。

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