恭喜富士电机株式会社山田亨获国家专利权
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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113646887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080025053.2，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权半导体模块是由山田亨;山田教文设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体模块在说明书摘要公布了：确保焊料的厚度并且抑制芯片与引线框之间的应力集中。半导体模块1包括：半导体元件3，其在上表面以沿规定方向延伸的方式形成有栅极通路31；以及金属布线板4，其配置于半导体元件的上表面。金属布线板具有经由第1接合材料接合于半导体元件的上表面的第1接合部40。第1接合部具有朝向半导体元件突出的至少一个第1突起部45。第1突起部设于俯视时不与栅极通路重叠的位置。栅极通路与第1突起部分开0.4mm以上。
本发明授权半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种半导体模块，其中，该半导体模块包括：半导体元件，其在上表面以沿规定方向延伸的方式形成有栅极通路；以及金属布线板，其配置于所述半导体元件的上表面，所述金属布线板具有第1接合部，该第1接合部经由第1接合材料接合于所述半导体元件的上表面，所述第1接合部具有朝向所述半导体元件突出的多个第1突起部，所述第1突起部设于俯视时与所述栅极通路分开规定距离的位置，所述半导体元件具有：上表面电极，其设于所述半导体元件的上表面；以及镀层，其设于所述上表面电极的上表面，所述第1突起部与所述栅极通路以及所述镀层所集中的边界部分开规定距离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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