恭喜芯恩(青岛)集成电路有限公司季明华获国家专利权
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龙图腾网恭喜芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011064546.5，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法是由季明华;李敏设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法，垂直浮空场板中包括浮空场板多晶硅层及叠层结构，叠层结构包括交替层叠的绝缘材料层及铁电材料层，且叠层结构的最外层及最内层均为绝缘材料层；本发明在具有较小尺寸的垂直浮空场板中，通过设置具有极化作用的铁电材料层，可使得：关态时，铁电材料层的极化作用能够增强“电荷共享”效应，以获得更高的击穿电压；通态时，铁电材料层的极化作用可在漂移区诱导更多的电子，以降低导通电阻，从而实现在提高击穿电压的同时有效降低导通电阻。
本发明授权具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管，其特征在于，所述LDMOS晶体管包括：半导体基底，所述半导体基底包括第一导电类型掺杂区；第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区位于所述第一导电类型掺杂区内；源极区，所述源极区位于所述第二导电类型阱区内；漏极区，所述漏极区位于所述第一导电类型掺杂区内；垂直浮空场板，所述垂直浮空场板位于所述第二导电类型阱区与所述漏极区之间，且自所述第一导电类型掺杂区的表面沿垂向延伸，其中，所述垂直浮空场板包括浮空场板多晶硅层及叠层结构，所述叠层结构包括交替层叠的绝缘材料层及铁电材料层，且所述叠层结构的最外层及最内层均为所述绝缘材料层；栅极结构，所述栅极结构与所述源极区、第二导电类型阱区及第一导电类型掺杂区相接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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