恭喜三星电子株式会社蒲菠获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利对高速通道建模的方法、设计和制造半导体封装件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112733483B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011073128.2，技术领域涉及：G06F30/394；该发明授权对高速通道建模的方法、设计和制造半导体封装件的方法是由蒲菠;朴浚曙设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本对高速通道建模的方法、设计和制造半导体封装件的方法在说明书摘要公布了：一种对半导体封装件中的高速通道进行建模的方法，高速通道包括半导体衬底的上表面上的多条第一连接布线和穿透半导体衬底的多个贯通电极，所述方法包括：接收高速通道的设计信息；将设计信息划分为包括多条第一连接布线的第一布局和包括多个贯通电极的第二布局；使用第一建模方案和第一建模工具对第一布局执行第一建模操作；使用第二建模方案、第二建模工具以及第一布局的至少一部分对第二布局执行第二建模操作；以及通过将第一建模操作和第二建模操作的结果组合来获得整个高速通道的集成建模结果。
本发明授权对高速通道建模的方法、设计和制造半导体封装件的方法在权利要求书中公布了：1.一种对半导体封装件中的高速通道进行建模的方法，所述高速通道包括半导体衬底的上表面上的多条第一连接布线和穿透所述半导体衬底的多个贯通电极，所述方法包括：接收所述高速通道的设计信息；将所述设计信息划分为包括所述多条第一连接布线的第一布局和包括所述多个贯通电极的第二布局；使用第一建模方案和第一建模工具对所述第一布局执行第一建模操作；使用第二建模方案、第二建模工具以及所述第一布局的至少一部分对所述第二布局执行第二建模操作，其中，所述第二建模方案与所述第一建模方案不同，并且其中，所述第二建模工具与所述第一建模工具不同；以及通过将所述第一建模操作的结果和所述第二建模操作的结果组合来获得整个所述高速通道的集成建模结果。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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