恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林士尧获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利鳍式场效应晶体管器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011171719.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权鳍式场效应晶体管器件及其形成方法是由林士尧;高魁佑;林志翰;张铭庆;陈昭成设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍式场效应晶体管器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍的相反侧形成隔离区域；在鳍上方形成虚设栅极；减小虚设栅极的靠近隔离区域的下部的厚度，其中，在减小该厚度之后，虚设栅极的下部的相反侧壁之间的距离随着虚设栅极向隔离区域延伸而减小；在减小该厚度之后，至少沿着虚设栅极的下部的相反侧壁形成栅极填充材料；沿着虚设栅极的侧壁并沿着栅极填充材料的侧壁形成栅极间隔件；以及用金属栅极替换虚设栅极。
本发明授权鳍式场效应晶体管器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成在衬底上方突出的鳍；在所述鳍的相反侧形成隔离区域；在所述鳍上方形成虚设栅极；减小所述虚设栅极的靠近所述隔离区域的下部的厚度，其中，在减小所述厚度之后，所述虚设栅极的下部的相反侧壁之间的距离随着所述虚设栅极向所述隔离区域延伸而减小；在减小所述厚度之后，至少沿着所述虚设栅极的下部的相反侧壁形成栅极填充材料；沿着所述虚设栅极的侧壁并沿着所述栅极填充材料的侧壁形成栅极间隔件；以及用金属栅极替换所述虚设栅极，其中，替换所述虚设栅极包括：执行第一蚀刻工艺，以去除所述虚设栅极；执行与所述第一蚀刻工艺不同的第二蚀刻工艺，以至少去除所述栅极填充材料的部分，从而在所述栅极间隔件之间形成开口；以及在所述开口中形成所述金属栅极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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