恭喜台湾积体电路制造股份有限公司关文豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206078B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011221205.4，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权集成芯片及其制造方法是由关文豪;姚福伟;蔡俊琳;余俊磊;张庭辅设计研发完成，并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本揭露实施例是有关于一种集成芯片及其制造方法。本公开的各种实施例涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括：第一未掺杂层，上覆在衬底上。第一障壁层上覆在第一未掺杂层上且具有第一厚度。第一掺杂层上覆在第一障壁层上且于侧向上设置在衬底的n沟道器件区内。第二障壁层上覆在第一障壁层上且设置在于侧向上与n沟道器件区相邻的p沟道器件区内。第二障壁层具有比第一厚度大的第二厚度。第二未掺杂层上覆在第二障壁层上。第二掺杂层上覆在第二未掺杂层上。第二未掺杂层及第二掺杂层设置在p沟道器件区内。
本发明授权集成芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括：第一未掺杂层，上覆在衬底上；第一障壁层，上覆在所述第一未掺杂层上，其中所述第一障壁层具有第一厚度；第一掺杂层，上覆在所述第一障壁层上且在侧向上设置在所述衬底的n沟道器件区内；第二障壁层，上覆在所述第一障壁层上且设置于在侧向上与所述n沟道器件区相邻的p沟道器件区内，其中所述第二障壁层具有比所述第一厚度大的第二厚度；第二未掺杂层，上覆在所述第二障壁层上；以及第二掺杂层，上覆在所述第二未掺杂层上，其中所述第二未掺杂层及所述第二掺杂层设置在所述p沟道器件区内，且其中所述第二障壁层的外侧壁对齐于所述第二未掺杂层的外侧壁以及所述第二掺杂层的外侧壁。
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