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龙图腾网恭喜爱德华兹有限公司申请的专利真空泵、用于抽空半导体处理腔室的真空泵组以及抽空半导体处理腔室的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114901951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180008506.5，技术领域涉及：F04D19/04；该发明授权真空泵、用于抽空半导体处理腔室的真空泵组以及抽空半导体处理腔室的方法是由N·P·肖菲尔德设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本真空泵、用于抽空半导体处理腔室的真空泵组以及抽空半导体处理腔室的方法在说明书摘要公布了：公开了用于抽空半导体处理腔室的真空泵、真空泵组和方法。该真空泵被构造成安装到半导体处理腔室，以将该腔室抽空到1mbar和5×10‑2mbar之间的压力。该真空泵包括：转子，其可旋转地安装在定子内。转子包括多个成角度的叶片，叶片沿着从入口到出口的螺旋路径布置。定子包括多个穿孔元件，其被布置成与所述螺旋路径相交，穿孔允许沿着螺旋路径行进的气体分子穿过穿孔元件。转子安装在磁悬浮轴承上；并且朝向真空泵的入口定位的穿孔元件包括大于40%的透过性，并且朝向真空泵的出口定位的穿孔元件包括大于30%的透过性。

本发明授权真空泵、用于抽空半导体处理腔室的真空泵组以及抽空半导体处理腔室的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于抽空半导体处理腔室的泵系统，包括：真空泵，用于安装到半导体处理腔室内，以将所述室抽空到1mbar和5×10-2mbar之间的压力，所述真空泵包括：转子，所述转子可旋转地安装在定子内；所述转子包括多个成角度的叶片，所述叶片沿着从入口到出口的螺旋路径布置；所述定子包括多个穿孔元件，所述多个穿孔元件被布置成与所述螺旋路径相交，所述穿孔允许沿着所述螺旋路径行进的气体分子穿过所述穿孔元件；所述转子安装在磁悬浮轴承上；并且所述穿孔元件的透过区域朝向出口减小，使得朝向所述真空泵的入口定位的所述穿孔元件包括大于40%的透过性，并且朝向所述真空泵的出口定位的所述穿孔元件包括大于30%的透过性；被布置为用于所述真空泵的前级泵组合的罗茨鼓风机和初级真空泵；用于将所述真空泵连接到所述半导体处理腔室的长度小于2m的导管；以及用于将所述真空泵连接到所述罗茨鼓风机和初级泵的较长导管，使得所述罗茨鼓风机和初级泵被定位成远离所述半导体处理腔室。

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