恭喜台湾积体电路制造股份有限公司黄玉莲获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113223963B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110019008.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化是由黄玉莲;傅劲逢;林焕哲;李富生;何彩蓉;谢博全;陈冠亘;王冠人设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件中的金属至源极漏极插塞的间隙图案化。一种方法可以包括在提供在第一源极漏极和第二源极漏极上的第一电介质层的顶部上提供掩模层，以及在掩模层和第一电介质层中创建暴露第一源极漏极和第二源极漏极的部分的开口。该方法可以包括用覆盖第一源极漏极和第二源极漏极的暴露部分的金属层填充开口，以及在金属层中形成间隙以创建第一金属接触件和第二金属接触件。第一金属接触件可以电耦合至第一源极漏极，并且第二金属接触件可以电耦合至第二源极漏极。间隙可以使第一金属接触件与第二金属接触件分开小于十九纳米。
本发明授权半导体器件中的金属至源极/漏极插塞的间隙图案化在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在第一电介质层的顶部上形成掩模层，所述第一电介质层形成在第一源极漏极和第二源极漏极上；在所述掩模层和所述第一电介质层中创建开口，所述开口暴露所述第一源极漏极和所述第二源极漏极的部分；用金属层填充所述开口，所述金属层覆盖所述第一源极漏极和所述第二源极漏极的暴露部分；在所述金属层中形成间隙以创建第一金属接触件和第二金属接触件；其中，所述第一金属接触件电耦合至所述第一源极漏极，并且所述第二金属接触件电耦合至所述第二源极漏极，并且其中，所述间隙使所述第一金属接触件与所述第二金属接触件分开小于十九纳米；以及利用用于所述第一电介质层的材料填充所述间隙。
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