恭喜台湾积体电路制造股份有限公司许智育获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110151249.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权集成电路器件及其形成方法是由许智育;陈建豪;陈嘉伟;廖善美;陈蕙祺;梁育嘉;林士豪;林揆伦;游国丰;杨丰诚;陈燕铭设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种晶体管包括具有第一栅极介电层和第二栅极介电层的栅极结构。第一栅极介电层设置在衬底上方。第一栅极介电层包含具有第一介电常数的第一类型的介电材料。第二栅极介电层设置在第一栅极介电层上方。第二栅极介电层包含具有第二介电常数的第二类型的介电材料。第二介电常数大于第一介电常数。第一介电常数和第二介电常数各自大于氧化硅的介电常数。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
本发明授权集成电路器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；第一栅极介电层，设置在所述衬底上方，其中，所述第一栅极介电层具有第一材料组分；以及第二栅极介电层，设置在所述第一栅极介电层上方，其中，所述第二栅极介电层具有第二材料组分；其中：所述第一材料组分不同于所述第二材料组分；以及第一材料组分和第二材料组分各自具有比氧化硅的介电常数大的介电常数；所述第一材料组分的浓度水平随着在所述第一栅极介电层内的厚度方向上的深度而变化，并在所述第一栅极介电层的厚度中点处达到第一峰值；所述第二材料组分的浓度水平随着在所述第二栅极介电层内的厚度方向上的深度而变化，并在所述第二栅极介电层的厚度中点处达到第二峰值；并且所述第一峰值大于所述第二峰值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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