恭喜台湾积体电路制造股份有限公司高琬贻获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构以及制造半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113270485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110241924.0，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权半导体结构以及制造半导体结构的方法是由高琬贻;林洪正;张哲豪;卢永诚;徐志安设计研发完成，并于2021-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构以及制造半导体结构的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及电介质特征的形成后修补。具体地，本公开提供了半导体结构及其形成方法的实施方式。示例性半导体结构包括第一源极漏极特征和第二源极漏极特征以及设置在所述第一源极漏极特征和所述第二源极漏极特征之间并沿第一方向纵向延伸的混合鳍。所述混合鳍包括内部特征和围绕所述内部特征设置的外层。所述外层包含氧碳氮化硅，并且所述内部特征包含碳氮化硅。
本发明授权半导体结构以及制造半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其包括：第一源极漏极特征和第二源极漏极特征；以及设置在所述第一源极漏极特征和所述第二源极漏极特征之间并沿第一方向纵向延伸的混合鳍，其中所述混合鳍包括内部特征和围绕所述内部特征设置的外层，其中所述外层包含氧碳氮化硅，并且所述内部特征包含碳氮化硅，其中所述混合鳍包括中间接缝。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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